[发明专利]一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备及其测试方法

说明书

本发明涉及一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备及其测试方法，包括近场探头，还包括电磁屏蔽壳体、被测电路安装台，电磁屏蔽壳体为矩形空腔结构，由顶盖开合，在电磁屏蔽壳体的侧面，分别设有电源线孔和信号线孔，在电磁屏蔽壳体顶盖中心处设有探头线缆孔；近场探头垂直的固定在顶盖内面探头线缆孔的下方，用以接收或者发射电磁干扰信号。测试集成电路近场发射电磁干扰，得到被测射频集成电路对外辐射电磁干扰的干扰范围和强度；测试射频集成电路近场电磁敏感性，得到被测射频集成电路的受干扰范围与敏感性阈值。本发明可用于射频集成电路的近场发射电磁干扰和近场电磁敏感性测试。

技术领域

本发明涉及电磁兼容测试设备领域，具体而言，涉及一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备及其测试方法，用于进行射频集成电路近场电磁兼容性测试的近场发射电磁干扰和近场电磁敏感性测试。

背景技术

射频集成电路由于工作频率较高，在工作时会对外产生电磁干扰，同时也会受到相同环境下其他电磁干扰的影响。射频集成电路的电磁兼容性，即是用来评估射频集成电路在其电磁环境中符合要求运行，并且产生的电磁干扰不对其环境中任何电子设备、电路产生干扰的能力。

关于集成电路的电磁兼容性测试，国际电工委员推荐采用IEC 61967《集成电路电磁发射测试》和IEC 62132《集成电路电磁敏感性测试》标准。IEC 61967对集成电路的辐射发射采用TEM/GTEM小室方法和近场扫描方法，传导发射采用1Ω/150Ω直接耦合方法、法拉第笼方法和磁场探头方法。IEC 62132对集成电路的辐射敏感性采用TEM小室测试方法、大电流注入的IC电磁敏感性测试方法以及直接RF功率注入和法拉第笼的IC传导敏感性测试方法。

由于射频集成电路的功率和面积较小，其电磁敏感性所受的电磁干扰主要集中在近场区域。标准采用的测试设备仅有TEM/GTEM小室方法具备完成远场发射电磁干扰和电磁敏感性两种测试的能力，其余测试设备只能完成辐射或者传到电磁干扰和电磁敏感性中的一种测试。目前，近场测试只用近场扫描方法，尚未有能够进行射频集成电路近场发射电磁干扰和近场电磁敏感性两种测试的测试设备和专门的测试方法。

发明内容

针对现有技术的状况及存在的问题，本发明提出了一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备及其测试方法，可用于射频集成电路的近场发射电磁干扰和近场电磁敏感性测试。

本发明采用的技术方案是：一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备，包括近场探头，其特征在于：还包括电磁屏蔽壳体、被测电路安装台，所述电磁屏蔽壳体为矩形空腔结构，由顶盖开合，在电磁屏蔽壳体的侧面，分别设有电源线孔和信号线孔，在电磁屏蔽壳体顶盖中心处设有探头线缆孔；所述近场探头垂直的固定在顶盖内面探头线缆孔的下方，用以接收或者发射电磁干扰信号；

所述被测电路安装台为矩形，设置在电磁屏蔽壳体内底部位置，用以固定被测射频集成电路板。

一种射频集成电路近场电磁兼容性测试设备的测试方法，其特征在于，测试射频集成电路近场发射电磁干扰的步骤如下：

步骤一：打开电磁屏蔽壳体顶盖，将被测电路安装台放置于电磁屏蔽壳体内的底部位置，将被测射频集成电路板放置于被测电路安装台上，移动被测电路安装台，保证测试时近场探头正对被测射频集成电路；

步骤二：根据测试目标，将被测射频集成电路板电源线由电源线孔穿出连接电源；

步骤三：盖好电磁屏蔽壳体顶盖，将近场探头的连接线缆由顶盖探头线缆孔穿出与外部示波器或者频谱仪连接；

步骤四：接通被测射频集成电路板及外部示波器或者频谱仪的电源，使射频集成电路正常工作，示波器或者频谱仪通过连接近场探头接收被测射频集成电路向外辐射的电磁干扰信号；