[发明专利]基于双抵消的低噪声系数、宽带、高隔离有源准环形器

权利要求书

1.基于双抵消的低噪声系数、宽带、高隔离有源准环形器，其特征在于，包括端口1，端口1分别与共源晶体管M2、共源晶体管M2E和共栅晶体管M1连接，共源晶体管M2和共源晶体管M2E的源极分别连接端口2和端口2d并共地，共源晶体管M2和共源晶体管M2E的漏极经互补型缓冲电路与共栅晶体管M1连接，共栅晶体管M1连接跨导增强型晶体管Mg，共源晶体管M2、共源晶体管M2E与互补型缓冲电路连接构成双抵消电路，互补型缓冲电路连接端口3，通过一路同相路径的共栅晶体管M1分别给双抵消电路提供抵消信号用于降低噪声系数；具体连接关系如下：

端口1的第一路经电容C1分别连接共栅晶体管M1的源极和跨导增强型晶体管Mg的栅极，第二路经电容C2连接共源晶体管M2的栅极，第三路经电容C2E连接共源晶体管M2E的栅极；共源晶体管M2依次经电容CB1、源跟随器MB1/MB2和电容CB2后与共栅晶体管M1的漏极连接，共源晶体管M2E依次经CB3、共源晶体管MB3/MB4和电容CB4后与共栅晶体管M1的漏极连接；

共栅晶体管M1的源端通过电容Cg1与跨导增强型晶体管Mg的栅端连接，共栅晶体管M1的栅端通过电容Cg2与跨导增强型晶体管Mg的漏端相连；跨导增强型晶体管Mg的漏端与电阻Rg连接，跨导增强型晶体管Mg和电阻Rg构成一个基本共源放大器；共栅晶体管M1的漏端分别通过电容CB2、CB4与缓冲器MB2、MB4的栅端相连；晶体管M1的源端经过电容C1分别通过电容C2、C2E与晶体管M2、M2E的栅端连接构成有源准环形器的发射端；

电容C2与共源晶体管M2的栅极连接，共源晶体管M2的漏端经电容CB1后与缓冲器MB1的栅端连接，共源晶体管M2的漏端与电阻R2连接，共源晶体管M2的源端与电容CA连接构成有源准环形器的天线端；

电容C2E与共源晶体管M2E的栅极连接，共源晶体管M2E的漏端经电容CB3后与缓冲器MB3的栅端连接，共源晶体管M2E的漏端与电阻R2E连接，共源晶体管M2E的源端与电容Cad连接构成有源准环形器的dummy端。

2.根据权利要求1所述的基于双抵消的低噪声系数、宽带、高隔离有源准环形器，其特征在于，发射信号一路经反相位路径产生干扰信号，第二路经同相位路径产生抵消信号CS1，干扰信号和抵消信号CS1经源跟随器MB1/MB2相互抵消产生残余信号；第三路经反相位路径产生信号与同相位路径的抵消信号CS1经共源晶体管MB3/MB4产生抵消信号CS2，抵消信号CS2与残余信号经端口3相互抵消。