[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：其包含：

依序层叠一金属氧化物半导体层和一金属保护层于一基板上；

形成一光阻图案于所述金属保护层上；

以所述光阻图案作为掩膜，蚀刻所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层，以形成一图形化金属保护层和一图形化金属氧化物半导体层；以及

去除所述光阻图案和所述图形化金属保护层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述金属保护层是由钼、钛或钼钛合金所组成。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述蚀刻所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层的步骤包含：

使用H₂O₂作为蚀刻液去除未被光阻图案覆盖的金属保护层，以形成所述图形化金属保护层；及

使用草酸作为蚀刻液去除未被所述图形化金属保护层覆盖的金属氧化物半导体层以形成所述图形化金属氧化物半导体层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述去除图形化金属保护层是通过使用一含有氟系气体的蚀刻气体干刻蚀所述图形化金属保护层来进行。

5.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：通过调整刻蚀气体中氟系气体的比例来控制图形化金属保护层及图形化金属氧化物半导体层的蚀刻选择比，以减少图形化金属氧化物半导体层的损伤。

6.根据权利要求4所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：其还包含：对图形化金属氧化物半导体层进行氧气等离子处理。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：其还包含：

形成一栅极绝缘层于所述图形化金属氧化物半导体层上，使所述图形化金属氧化物半导体层的两相对侧露出；

形成一栅极于所述栅极绝缘层上；

以氧气等离子导体化露出的所述图形化金属氧化物半导体层的两相对侧；

形成一层间绝缘层覆盖所述栅极、栅极绝缘层、图形化金属氧化物半导体层及基板；

形成第一通孔及第二通孔，其贯穿所述层间绝缘层而使所述图形化金属氧化物半导体层的两相对侧部分露出；

以氧气等离子导体化第一通孔及第二通孔中露出的图形化金属氧化物半导体层部分；以及

形成第一源漏极及第二源漏极于层间绝缘层上，其中第一源漏极及第二源漏极分别透过第一通孔及第二通孔与图形化金属氧化物半导体层电连接。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述提供一基板后，所述方法还包含：

形成一图形化遮光层于所述基板上，其中所述图形化遮光层相对于所述基板的投影面积设计成大于所述图形化金属保护层相对于所述基板的投影面积；及

形成一缓冲层于所述图形化遮光层及基板上。

9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：所述图形化遮光层是由钼、铜、钛、铝或其合金所组成。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于：

在所述形成第一源漏极及第二源漏极之前，所述方法还包含：形成第三通孔，其贯穿所述层间绝缘层及缓冲层而使所述遮光层一部分露出，且

所述形成第一源漏极及第二源漏极还包含：使所述第二源漏极透过所述第三通孔与所述遮光层电连接。