[发明专利]阵列基板的制造方法

说明书

本发明公开一种阵列基板的制造方法，其包含：依序层叠一金属氧化物半导体层和一金属保护层于一基板上；形成一光阻图案于所述金属保护层上；用所述光阻图案作为掩膜，蚀刻所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层，以形成一图形化金属保护层和一图形化金属氧化物半导体层；以及去除所述光阻图案和所述图形化金属保护层。所述方法藉由在金属氧化物半导体层上形成金属保护层，来避免金属氧化物半导体层在图形化的制程中受到黄光照射与冲洗的损伤，以及受到光阻材料与光阻剥离液的污染。

技术领域

本揭示涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板的制造方法。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管因其高穿透率及高迁移率等优点，被广泛应用于显示行业中，特别是被广泛应用于大尺寸的液晶显示(LCD)面板及有源矩阵有机电致发光二极管(AMOLED)显示面板。然而，金属氧化物薄膜晶体管中的金属氧化物半导体层较薄(300-1000埃)且易受损伤及污染。金属氧化物半导体层若受损伤及污染，会影响其作为半导体的电性稳定度。

请参阅图1及图2，现有的阵列基板制造方法是藉由下列步骤来形成图形化金属氧化物半导体层21：沉积金属氧化物半导体层20于基板10上，形成光阻图案30于金属氧化物半导体层20上，以光阻图案30作为掩膜湿蚀刻金属氧化物半导体层20，再剥离光阻图案30。现有的阵列基板制造方法的问题点在于：在形成光阻图案30的步骤中最后需进行清洗，为了清洗干净，需要一定的清洗液压力。然而，此清洗液压力会使金属氧化物半导体层20的原粗糙表面变得光滑，亦即减少了金属氧化物半导体层20的表面粗糙度。此使得金属氧化物半导体层20与光阻图案30之间的黏附性变差，从而使光阻图案30的保护能力变差。因此，在后续湿刻蚀金属氧化物半导体层20时，药液易进入光阻图案30及金属氧化物半导体层20之间，造成图形化金属氧化物半导体层21的表面缺失而影响其电性稳定度。再者，金属氧化物半导体层20在形成光阻图案30的步骤中亦易受到黄光照射的损伤及受到光阻材料的污染，且在剥离光阻图案30的步骤中易受到光阻剥离液的污染。

因此有需要研发一种新的阵列基板制造方法，来避免金属氧化物半导体层在图形化的制程中受到损伤及污染，以确保其电性稳定度。

发明内容

为了在解决金属氧化物半导体层在图形化的制程中，受到黄光照射与冲洗的损伤，以及光阻材料与光阻剥离液的污染的技术问题，本揭示提供了一种阵列基板的制造方法。所述方法包含：依序层叠一金属氧化物半导体层和一金属保护层于一基板上；形成一光阻图案于所述金属保护层上；用所述光阻图案作为掩膜，蚀刻所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层，以形成一图形化金属保护层和一图形化金属氧化物半导体层；以及去除所述光阻图案和所述图形化金属保护层。

在一实施例中，所述金属保护层是由钼、钛或钼钛合金所组成。

在一实施例中，所述蚀刻所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层的步骤包含：用所述光阻图案作为掩膜对所述所述金属保护层及所述金属氧化物半导体层进行曝光；使用H₂O₂作为蚀刻液去除未被光阻图案覆盖的金属保护层，以形成所述图形化金属保护层；及使用草酸作为蚀刻液去除未被所述图形化金属保护层覆盖的金属氧化物半导体层以形成所述图形化金属氧化物半导体层。

在一实施例中，所述去除图形化金属保护层是通过使用一含有氟系气体的蚀刻气体干刻蚀所述图形化金属保护层来进行。

在一实施例中，通过调整刻蚀气体中氟系气体的比例来控制图形化金属保护层及图形化金属氧化物半导体层的蚀刻选择比，以减少图形化金属氧化物半导体层的损伤。

在一实施例中，所述阵列基板的制造方法还包含：对图形化金属氧化物半导体层进行氧气等离子处理，以改善其电性稳定度。