[发明专利]一种砂浆罐、切割装置及晶棒的切割方法

说明书

本发明公开了一种砂浆罐，包括砂浆罐本体；分离装置，设置于所述砂浆罐本体的底部，用于分离研磨剂和微粉颗粒；固定装置，设置于所述砂浆罐本体的外侧侧壁上，用于对与所述研磨剂分离的所述微粉颗粒进行位置固定。本发明在晶棒切割时，为了防止切割晶棒时所产生的微粉颗粒随着砂浆作用于晶棒上，通过在砂浆罐本体的底部安装一分离装置，从而将流入砂浆罐中的微粉颗粒与砂浆中的研磨剂分离开，并利用砂浆罐本体外侧侧壁上的固定装置使得分离开的微粉颗粒的位置固定，利用这种方式阻止所产生的微粉颗粒流入至切割中的晶棒中，从而避免了微粉颗粒损坏硅片的平坦度，改善了硅片的质量。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种砂浆罐、切割装置及晶棒的切割方法。

背景技术

单晶硅也称硅单晶，是电子信息材料中最基础性的材料，属于半导体材料类。单晶硅主要用于制备半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池等。

单晶硅片的制备工艺主要包括：晶棒切割成硅片的切割工艺、硅片平面化的研磨工艺、去除由于机械研磨造成的污染的刻蚀工艺、以及硅片的清洗工艺等组成。其中单晶硅片的切割工艺多采用一种多线切割方式，这种多线切割方式具体是通过将被切割工件粘结在进给机构之上，推动工件向一组平行钢线阵列进给，完成硅片的切割过程，依据切割过程中使用砂浆与否以及钢线类型的不同，又分为游离磨料切割方式(Free Abrasive Method)和固定磨料切割方式(Fixed Abrasive Method)，其中游离磨料切割方式中使用一根直线钢丝往复缠绕于设备主辊上形成平行线阵列，晶棒轴向与钢线阵列垂直并控制一定速度缓慢向钢线阵列进给，同时向钢线上喷淋磨料或者砂浆，钢线带动砂浆或磨料进入晶棒切割面，实现切割过程。

但是，晶棒在切割过程中会产生硅微粉以及碳化硅微粉等微粉颗粒，而这些微粉颗粒会随着砂浆一起流入砂浆罐中，由于砂浆罐中的砂浆将会循环使用，因此微粉颗粒会随着砂浆共同作用于晶棒上，有可能引起晶棒没有被充分切割的情况，导致通过切割晶棒所得到的硅片表面形貌发生变化，降低硅片表面的平坦度，从而影响硅片的质量。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种砂浆罐、切割装置及晶棒的切割方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种砂浆罐，包括：

砂浆罐本体；

分离装置，设置于所述砂浆罐本体的底部，用于分离研磨剂和微粉颗粒；

固定装置，设置于所述砂浆罐本体的外侧侧壁上，用于对与所述研磨剂分离的所述微粉颗粒进行位置固定。

在本发明的一个实施例中，所述分离装置包括超音波装置。

在本发明的一个实施例中，所述分离装置还包括超音波控制装置，连接所述超音波装置，用于控制所述超音波装置的通断。

在本发明的一个实施例中，所述固定装置包括磁场装置。

在本发明的一个实施例中，所述磁场装置环绕所述砂浆罐本体设置。

在本发明的一个实施例中，所述固定装置还包括磁场控制装置，连接所述磁场装置，用于控制所述磁场装置的通断。

本发明一个实施例还提供一种切割装置，包括切割机构和用于向所述切割机构提供砂浆的砂浆罐，所述砂浆罐包括：

砂浆罐本体；

分离装置，设置于所述砂浆罐本体的底部，用于分离研磨剂和微粉颗粒；

固定装置，设置于所述砂浆罐本体的外侧侧壁上，用于将与所述研磨剂分离的所述微粉颗粒位置固定。

在本发明的一个实施例中，所述分离装置包括超音波装置。

在本发明的一个实施例中，所述固定装置包括磁场装置。