[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底，所述半导体基底具有位于晶圆边缘的边缘区，以及位于所述边缘区最外侧的晶边区，所述半导体基底上形成有介质层；

在所述介质层上形成金属互联结构和淀积粘合材料，对所述介质层进行平坦化操作，晶边区的研磨程度大于晶圆中心区的研磨程度，边缘区厚度跨度大；

在所述晶边区的介质层表面淀积有机物；以及

在所述有机物的阻挡下，去除所述边缘区的淀积粘合材料和部分所述介质层；

利用控制设备控制所述边缘区的部分所述介质层的去除量；

在去除部分所述边缘区的介质层之前，在所述控制设备内设定一中心值和截止值；以及

在去除部分所述边缘区的介质层时，持续获取所述晶圆边缘区厚度，并将所述厚度与中心值的差值向控制设备反馈，当所述控制设备检测到所述厚度与中心值的差值小于或等于所述截止值时，停止所述介质层的去除。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，利用晶边刻蚀设备去除所述边缘区的部分所述介质层，所述晶边刻蚀设备具有一遮罩，所述遮罩遮挡所述晶圆位于所述边缘区以内的区域。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氧化硅。

4.如权利要求3所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除部分所述边缘区的介质层的方法为干法刻蚀，所述干法刻蚀的气体为含氟气体。

5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除所述边缘区的部分所述介质层后，通过湿法刻蚀去除所述有机物。

6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述有机物为C-H有机物。

7.如权利要求6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使用甲烷气体沉积形成所述C-H有机物。

8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述介质层上形成金属互联结构和淀积粘合材料的方法包括：

刻蚀所述介质层，形成沟槽，所述沟槽用于形成金属互联结构；

在所述沟槽和介质层上淀积粘合材料，形成粘合层。

9.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述晶边区为距离所述晶圆中心的146毫米-147毫米的区域，所述边缘区为距离晶圆中心的142毫米-146毫米的区域。