[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底内具有相邻的阱区和掺杂区，以及位于所述掺杂区远离所述阱区一侧的隔离结构；

栅极结构，位于所述阱区和掺杂区交界处的所述基底上；

掺杂层，位于所述栅极结构一侧的所述掺杂区上以及所述隔离结构上，所述掺杂层中的掺杂离子的导电类型与掺杂区中的掺杂离子导电类型相同，所述掺杂层和所述掺杂区共同作为漂移区；

源区，位于所述栅极结构一侧的所述阱区内；

漏区，位于所述隔离结构上的所述掺杂层内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层中的离子掺杂浓度低于所述掺杂区中的离子掺杂浓度。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的材料包括具有掺杂离子的多晶硅、锗化硅、砷化镓和的镓化铟中的一种或多种。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂层的顶面低于所述栅极结构的顶面，所述掺杂层的顶面与所述栅极结构的顶面的距离小于50纳米；

所述掺杂层的顶面高于所述栅极结构的顶面，所述掺杂层的顶面与所述栅极结构的顶面的距离小于100纳米。

5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，以垂直于所述栅极结构侧壁延伸方向为横向，所述掺杂层在所述隔离结构顶面投影的横向尺寸大于1微米，且所述掺杂层远离栅极结构的侧面与所述隔离结构远离栅极结构的侧面之间的距离大于200纳米。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，以垂直于所述栅极结构侧壁延伸方向为横向，所述掺杂层在所述掺杂区顶面投影的横向尺寸大于600纳米。

7.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：硅化物阻挡层，位于所述栅极结构和所述漏区之间的所述掺杂层上，所述硅化物阻挡层还延伸覆盖所述栅极结构的部分顶面。

8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底内形成有相邻接的阱区和掺杂区，以及形成在所述掺杂区远离所述阱区的一侧的隔离结构；

在所述阱区和掺杂区交界处的所述基底上形成栅极结构；

在所述栅极结构一侧的所述掺杂区上以及部分区域的所述隔离结构上形成掺杂层，所述掺杂层中的掺杂离子的导电类型与掺杂区中的掺杂离子导电类型相同，所述掺杂层和所述掺杂区共同作为漂移区；

在所述栅极结构一侧的所述阱区内形成源区；

在所述掺杂层中远离所述栅极结构的区域内形成漏区。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成掺杂层的步骤中，所述掺杂层中的离子掺杂浓度低于所述掺杂区中的离子掺杂浓度。

10.如权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成掺杂层的步骤中，所述掺杂层的材料包括具有掺杂离子的多晶硅、锗化硅、砷化镓和镓化铟中的一种或多种。

11.如权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述掺杂层的步骤中；

所述掺杂层的顶面低于所述栅极结构的顶面，所述掺杂层的顶面与所述栅极结构的顶面的距离小于50纳米；

所述掺杂层的顶面高于所述栅极结构的顶面，所述掺杂层的顶面与所述栅极结构的顶面的距离小于100纳米。

12.如权利要求8或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以垂直于所述栅极结构侧壁延伸方向为横向；

形成所述掺杂层的步骤中，所述掺杂层在所述隔离结构顶面投影的横向尺寸大于1微米，且所述掺杂层远离栅极结构的侧面至所述隔离结构远离栅极结构的侧面的距离大于200纳米。