[发明专利]一种两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子及其制备

权利要求书

1.一种两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子的制备方法，其特征在于，

所制备的纳米粒子为功能核心-保护壳层结构粒子，其中功能核心为聚[2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)对苯乙炔]半导体聚合物，保护壳层为两嵌段聚合物聚乳酸-b-聚乙二醇；

制备方法是将半导体聚合物和两嵌段聚合物的混合有机溶液与非溶剂相通过T型混合器，高速混合过程中，胶束自组装而形成；

所述的制备方法包括以下步骤：

1）分别配制半导体聚合物和两嵌段聚合物的有机溶液；

2）将半导体聚合物的有机溶液、两嵌段聚合物的有机溶液混合后，得到混合储备液，之后将混合储备液与超纯水分别通过T型混合器的两个进口同时注入至T型混合器内，再经T型混合器的出口进入贮水槽中，得到混合液；

3）将混合液进行提纯处理，即得到所述的两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子；

步骤1）中，所述的半导体聚合物为为聚[2-甲氧基-5(2’-乙基己氧基)对苯乙炔]，所述的两嵌段聚合物为聚乳酸-b-聚乙二醇，浓度均为500-1000 μg/mL，有机溶剂为四氢呋喃；

步骤2）中，所述的半导体聚合物的有机溶液、两嵌段聚合物的有机溶液在混合之前分别进行稀释，半导体聚合物和两嵌段聚合物的浓度均为50-60 μg/mL；

步骤2）中，所述的混合储备液与超纯水的体积相同，并且混合储备液与超纯水的注入速率均为0.8-1.2 mL/s；贮水槽中水的体积为混合储备液体积的1-1.2倍；

步骤3）中，提纯处理过程为：将贮水槽置于65-75 ℃的环境中，同时向贮水槽中持续通入惰性气体，以除去混合液中的有机溶剂；之后进行离心分离，离心转速为13000-14000 r/min，得到所述的两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的一种两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子的制备方法，其特征在于，所述的两嵌段聚合物保护的半导体聚合物纳米粒子呈短棒状，直径为40-105 nm，长度为45-75 nm。