[发明专利]CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端

权利要求书

1.一种CMOS射频开关的仿真方法，所述CMOS射频开关包括至少一条并联连接的支路，每条支路上包括至少一个NMOS晶体管；其特征在于，包括：

接收第一值，所述第一值表示所述CMOS射频开关施加的栅极电压值；

基于所述第一值，获得第一函数的当前值；所述第一函数是以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值为自变量的函数，且在所述CMOS射频开关处于开态时，所述第一函数的值为第一函数值，在所述CMOS射频开关处于关态时，所述第一函数的值为第二函数值；所述第一函数值小于第二函数值；

接收第二值，所述第二值表示所述CMOS射频开关中并联支路的数量；

接收第三值，所述第三值表示所述CMOS射频开关中每条支路上串联连接的NMOS晶体管的数量；

基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值；

基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值；

所述第一函数为：F(VG)＝2/(PVG1+1+tanh(VG/PVG2))；

其中，F(VG)表示第一函数，VG为CMOS射频开关施加的栅极电压值；PVG1为第一模型参数值，且PVG1∈(0，0.01]；PVG2为第二模型参数值，且PVG2属于(0，1]；tanh(VG/PVG2)为关于CMOS射频开关施加的栅极电压值VG的双曲正切函数。

2.如权利要求1所述的CMOS射频开关的仿真方法，其特征在于，所述第一模型参数值PVG1及第二模型参数值PVG2均是通过实际测试获得。

3.如权利要求1所述的CMOS射频开关的仿真方法，其特征在于，所述基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值，包括：

采用以下公式，得到所述CMOS射频开关的关态电容值C(XC1)：

C(XC1)＝CDS1*W/NS；

其中，XC1表示所述CMOS射频开关处于关态时的等效电容；CDS1表示单位宽度晶体管源漏的关态电容；W为每个晶体管的宽度值与第二值的乘积；NS表示所述第三值。

4.如权利要求1所述的CMOS射频开关的仿真方法，其特征在于，所述基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值，包括：

采用以下公式，得到所述CMOS射频开关的开态电阻值R(XR1)：

R(XR1)＝RDS1*NS/W*F(VG)；

其中，所述XR1表示所述CMOS射频开关处于开态时的等效电阻；RDS1表示单位宽度晶体管源漏的开态电阻；W为每个晶体管的宽度值与第二值的乘积；NS表示所述第三值；F(VG)表示以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值VG为自变量的第一函数值。