[发明专利]CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端

说明书

一种CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端。所述方法包括：接收第一值；基于所述第一值，获得第一函数的当前值；所述第一函数以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值为自变量的函数，且在所述CMOS射频开关处于开态时，所述第一函数的值为第一函数值，在所述CMOS射频开关处于关态时，所述第一函数的值为第二函数值；所述第一函数值小于第二函数值；接收第二值；接收第三值；基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值；基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值。采用上述方案，可以提高基于SOI工艺的CMOS射频开关的仿真速度。

技术领域

本发明的实施例涉及CMOS射频开关设计领域，具体涉及一种CMOS射频开关的仿真方法、装置及通信终端。

背景技术

射频开关是现代无线通信系统中一个关键部件，其主要功能是进行收发信道的切换和多通道的选择。

基于绝缘体上硅(Silicon On Insulator，SOI)工艺的互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)射频开关，是使用普通CMOS工艺中NMOS晶体管作为射频开关的器件，因其很好地解决了系统集成度和成本之间的平衡问题，在现代无线通信系统中应用较为广泛。

目前，在具体实现基于SOI工艺的CMOS射频开关之前，通常需要对CMOS射频开关进行仿真，来得到相关参数值，并利用所得到的参数值进行后续的仿真，以进一步了解CMOS射频开关的射频性能。最终可以基于射频性能的仿真结果，确定是否需要调整CMOS射频开关中NMOS晶体管的排布方式。

然而，现有对CMOS射频开关进行仿真的方法，虽然可以精确地获取到CMOS射频开关较为全面的参数，但其仿真速度较慢，导致整个CMOS射频开关设计周期较长。

发明内容

本发明解决的技术问题是提高基于SOI工艺的CMOS射频开关的仿真速度。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种CMOS射频开关的仿真方法，所述CMOS射频开关包括至少一条并联连接的支路，每条支路上包括至少一个NMOS晶体管；所述方法包括：接收第一值，所述第一值表示所述CMOS射频开关施加的栅极电压值；基于所述第一值，获得第一函数的当前值；所述第一函数以所述CMOS射频开关施加的栅极电压值为自变量的函数，且在所述CMOS射频开关处于开态时，所述第一函数的值为第一函数值，在所述CMOS射频开关处于关态时，所述第一函数的值为第二函数值；所述第一函数值小于第二函数值；接收第二值，所述第二值表示所述CMOS射频开关中并联支路的数量；接收第三值，所述第三值表示所述CMOS射频开关中每条支路上串联连接的NMOS晶体管的数量；基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值；基于所述第二值、第三值及所述第一函数的当前值，输出所述CMOS射频开关的开态电阻值。

可选地，所述第一函数为：

F(VG)＝2/(PVG1+1+tanh(VG/PVG2))；

其中，F(VG)表示第一函数，VG为CMOS射频开关施加的栅极电压值；PVG1为第一模型参数值，且PVG1∈(0，0.01]；PVG2为第二模型参数值，且PVG2属于(0，1]；tanh(VG/PVG2)为关于CMOS射频开关施加的栅极电压值VG的双曲正切函数。

可选地，所述第一模型参数值PVG1及第二模型参数值PVG2均是通过实际测试获得。

可选地，所述基于所述第二值及第三值，输出所述CMOS射频开关的关态电容值，包括：

采用以下公式，得到所述CMOS射频开关的关态电容值C(XC1)：

C(XC1)＝CDS1*W/NS；