[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上具有栅极，所述栅极两侧衬底中具有源漏掺杂层，所述栅极和源漏掺杂层上具有介质层；

在所述介质层上形成图形层，形成所述图形层的步骤包括：

在所述介质层上形成牺牲层和侧墙，所述牺牲层和侧墙覆盖所述栅极顶部的介质层，且暴露出至少部分所述源漏掺杂层上的介质层，所述牺牲层包括位于所述栅极顶部介质层上的第一牺牲层，所述第一牺牲层侧壁具有侧墙；形成所述牺牲层和侧墙之后，去除所述第一牺牲层；

以所述图形层为掩模对所述介质层进行刻蚀处理，在所述介质层中形成第一接触孔和第二接触孔，所述第一接触孔底部暴露出所述栅极，所述第二接触孔底部暴露出所述源漏掺杂层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述图形层的步骤还包括：在所述介质层上形成牺牲层和侧墙之前，在所述介质层上形成初始图形层；去除所述第一牺牲层之后，以剩余的牺牲层和侧墙为掩模，对所述初始图形层进行刻蚀，形成图形层。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层覆盖部分栅极顶部的介质层；所述牺牲层还包括第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖第一牺牲层暴露出的栅极顶部的介质层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层上形成牺牲层和侧墙的步骤包括：在所述介质层上形成第一牺牲层，所述第一牺牲层仅覆盖部分所述栅极上的介质层；在所述第一牺牲层侧壁形成侧墙；形成所述侧墙之后，在所述介质层上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层覆盖第一牺牲层暴露出的栅极，且暴露出至少部分源漏掺杂层顶部的介质层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层上形成第一牺牲层的步骤包括：在所述介质层上形成第一初始牺牲层；在所述第一初始牺牲层上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出至少部分栅极上的第一初始牺牲层；以所述第一掩膜层为掩膜对所述第一初始牺牲层进行离子注入，形成第一牺牲层；所述离子注入之后，去除所述第一初始牺牲层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一初始牺牲层进行离子注入的注入离子为硼离子。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙之后，在所述介质层上形成第二牺牲层的步骤包括：在所述介质层上形成第二中间牺牲层，所述第二中间牺牲层暴露出所述侧墙和第一牺牲层；对所述第二中间牺牲层进行刻蚀，去除至少部分源漏掺杂层上的第二中间牺牲层，形成第二牺牲层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二中间牺牲层的步骤包括：在所述介质层、第一牺牲层和侧墙上形成第二初始牺牲层；去除所述第一牺牲层顶部的第二初始牺牲层，形成第二牺牲层。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第二中间牺牲层进行刻蚀的刻蚀气体包括：C₄F₆或C₄F₈。

10.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一牺牲层侧壁形成侧墙的步骤包括：在所述第一牺牲层顶部和侧壁、以及第一牺牲层暴露出的介质层上形成初始侧墙；对所述初始侧墙进行回刻蚀，去除第一牺牲层顶部及第一牺牲层暴露出的介质层上的初始侧墙，形成侧墙。

11.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料与所述第一牺牲层的材料不同，且所述侧墙的材料与第一牺牲层的材料不同。

12.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层与侧墙的材料不同。