[发明专利]光刻胶剥离设备及晶圆处理方法

说明书

一种光刻胶剥离设备，包括腔室、前后端模块、上载模块及传送模块，上载模块与前后端模块相连，用于从晶圆盒中上载晶圆至前后端模块，传送模块分别与腔室及前后端模块相连，用于在前后端模块与腔室之间传送晶圆，光刻胶剥离设备还包括设于前后端模块内的冷却机构，冷却机构包括主体及热电模组，主体用于承载晶圆，热电模组与主体连接，热电模组包括至少一个n型热电元件和至少一个p型热电元件。本发明的光刻胶剥离设备利用所述前后端模块内的冷却机构冷却晶圆，提高了设备处理晶圆的效率。本发明还提供一种晶圆处理方法。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种光刻胶剥离设备及晶圆处理方法。

背景技术

半导体工艺主要是指在晶圆的器件面上制作半导体器件。具体地，首先，在晶圆的器件面上涂覆一层光刻胶，然后经过曝光、显影等光刻工艺步骤在所述光刻胶上形成光刻图案。在后续的离子注入过程中，对于光刻图案下方的部分半导体器件，由于光刻图案的遮蔽，离子注入过程中产生的离子仅仅注入到光刻图案中而不会进入光刻图案下方的部分半导体器件中，离子注入过程中产生的离子则会注入到半导体器件内部。在离子注入完成后，还需要去除经过离子注入的光刻图案，称为光刻胶(photoresist，PR)剥离。

目前PR剥离方法是在设备的腔室中干法刻蚀以去除经过离子注入的光刻图案胶层。干法刻蚀常使用氧气与光刻胶发生反应，此过程又称为灰化(ashing)，且反应时可使晶圆的温度达到350摄氏度左右。执行PR剥离前需要对晶圆升温处理，执行PR剥离后的晶圆则需要降温处理。一般利用腔室的夹盘的加热机构加热晶圆，以及冷却流路冷却晶圆，则腔室随着制程的推移温差变化较大，可能会对设备产生不良影响，且设备处理晶圆的效率不高。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种解决上述问题的光刻胶剥离设备及晶圆处理方法。

一种光刻胶剥离设备，包括至少一腔室、一前后端模块、上载模块及传送模块，所述上载模块与所述前后端模块相连，用于从晶圆盒中上载晶圆至所述前后端模块，所述传送模块分别与所述腔室及所述前后端模块相连，用于在所述前后端模块与所述腔室之间传送所述晶圆，所述光刻胶剥离设备还包括设于所述前后端模块内的冷却机构，所述冷却机构包括主体及热电模组，所述主体用于承载所述晶圆，所述热电模组与所述主体连接，所述热电模组包括至少一个n型热电元件和至少一个p型热电元件。

一种晶圆处理方法，应用于所述的光刻胶剥离设备，所述方法包括：

在所述处理腔室内剥离所述晶圆上的光刻胶；

将所述晶圆从所述处理腔室内传送至所述前后端模块内的所述冷却机构上；

向所述冷却机构通电流使所述晶圆冷却至预定温度；

将所述晶圆传送至所述上载模块的晶圆盒内。

本发明的光刻胶剥离设备利用所述前后端模块内的冷却机构冷却晶圆，而不是在处理腔室内冷却晶圆，提高了设备处理晶圆的效率；本发明的晶圆处理方法，可以不必在所述处理腔室内冷却所述晶圆后再讲所述晶圆移出，而是利用所述晶圆在往所述上载模块内的路径上的时段冷却所述晶圆，并且进一步通过所述冷却机构的热电模组冷却所述晶圆提高冷却效率，从而提高处理所述晶圆的效率，节省了生产成本。

附图说明

图1是本发明一实施例提供的光刻胶剥离设备的示意图。

图2是图1所示的光刻胶剥离设备的冷却机构的示意图。

图3是图2所示的光刻胶剥离设备的冷却机构的热电模组的示意图。

图4是图2所示的光刻胶剥离设备的冷却机构的主体的区域划分示意图。

图5是图4所述的旋涂装置的溶剂喷嘴向基板涂覆溶剂的状态示意图。

图6是本发明一实施例提供的晶圆处理方法的流程图。