[发明专利]基于动态零点补偿电路的电子器件

权利要求书

1.一种基于动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述电子器件包括运放第一级单元、动态零点补偿单元、运放Class AB输出级单元、及负载单元，所述运放Class AB输出级单元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述动态零点补偿单元包括位于N通道中且串联设置的MOS管Ma及第一电容C1、及位于P通道中且串联设置的MOS管Mb及第二电容C2，其中，MOS管Ma为PMOS管，MOS管Mb为NMOS管，所述NMOS管的源极与第一电容C1分别与基准电位相连，NMOS管的栅极与MOS管Ma的源极相连，MOS管Ma的漏极与第一电容C1相连，所述PMOS管的源极与第二电容C2相连，PMOS管的栅极与MOS管Mb的源极相连，MOS管Mb的漏极与第二电容C2相连。

2.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述MOS管Ma的栅极施加有栅极电压Va，MOS管Mb的栅极施加有栅极电压Vb，栅极电压Va和Vb分别用于驱动MOS管Ma和MOS管Mb。

3.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述动态零点补偿单元用于产生一个1/(2π*R1*C1)的动态零点进行补偿。

4.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述基准电位为GND电位。

5.根据权利要求4所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述第一电容C1和第二电容C2还用于增强原有的零点。

6.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述负载单元中的负载电流为IL，负载还包括负载电容CL。

7.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述运放第一级单元用于对信号进行放大，其包括若干BJT晶体管、PMOS管及NMOS管。

8.根据权利要求7所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述运放第一级单元包括若干与MOS管Ma及第一电容C1相连的NMOS管、及若干与MOS管Mb及第二电容C2相连的PMOS管。

9.根据权利要求1所述的动态零点补偿电路的电子器件，其特征在于，所述电子器件为低压差线性稳压器。