[发明专利]基于动态零点补偿电路的电子器件

说明书

本发明揭示了一种基于动态零点补偿电路的电子器件，所述电子器件包括运放第一级单元、动态零点补偿单元、运放Class AB输出级单元、及负载单元，所述运放Class AB输出级单元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述动态零点补偿单元包括位于N通道中且串联设置的MOS管Ma及第一电容C1、及位于P通道中且串联设置的MOS管Mb及第二电容C2，其中，MOS管Ma为PMOS管，MOS管Mb为NMOS管，所述NMOS管的源极与第一电容C1分别与基准电位相连。本发明通过优化动态零点补偿电路，对MOS管和电容进行优化，可有效避免寄生电容产生的极点问题，同时可增强原有的零点，且输出大电流时不会产生额外的功耗；电路结构简单，降低了整体电路的复杂度，减小了电路成本。

技术领域

本发明属于电路技术领域，具体涉及一种基于动态零点补偿电路的电子器件。

背景技术

参图1所示为现有技术中电子器件的电路图，该电子器件为class AB输出，其包括运放第一级单元10’、动态零点补偿单元20’、运放Class AB输出级单元30’、负载单元40’，其中，运放Class AB输出级单元30’包括位于N通道中的MOS管M13和位于P通道中的MOS管M14，M13为NMOS管，M14为PMOS管。动态零点补偿单元20’与MOS管M13和MOS管M14相连，MOS管Ma为NMOS管，R1为Ma导通时的电阻，电容C1与MOS管M13的栅极相连，MOS管Ma的源极与MOS管M13的源极相连，且MOS管M13的源极接地，MOS管Mb为PMOS管，R2为Mb导通时的电阻，电容C2与MOS管M14的栅极相连，MOS管Mb的源极与MOS管M14的源极相连。

现有技术中动态零点补偿单元通过检测N通道和P通道的电流，使Ma导通电阻产生对应R1，产生一个1/(2π*R1*C1)动态零点对LDO进行补偿。然而，该补偿具有下述缺点：

(1)一般情况下各种类型的电容到地都会寄生电容，甚至有的寄生电容可以达到自身容值的1/3，由于电容C1和C2没有直接连接到地，C1的上下级板到地的寄生电容和R1会产生一个极点，那么该极点会影响动态零点的补偿效果；

(2)由于通过镜像的方式产生动态零点，当输出有大电流时，自身的功耗将会增加。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种基于动态零点补偿电路的电子器件。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于动态零点补偿电路的电子器件，以解决补偿电容中产生的寄生电容产生极点的问题。

为了实现上述目的，本发明一实施例提供的技术方案如下：

一种基于动态零点补偿电路的电子器件，所述电子器件包括运放第一级单元、动态零点补偿单元、运放Class AB输出级单元、及负载单元，所述运放Class AB输出级单元包括位于N通道中的NMOS管和位于P通道中的PMOS管，所述动态零点补偿单元包括位于N通道中且串联设置的MOS管Ma及第一电容C1、及位于P通道中且串联设置的MOS管Mb及第二电容C2，其中，MOS管Ma为PMOS管，MOS管Mb为NMOS管，所述NMOS管的源极与第一电容C1分别与基准电位相连，NMOS管的栅极与MOS管Ma的源极相连，MOS管Ma的漏极与第一电容C1相连，所述PMOS管的源极与第二电容C2相连，PMOS管的栅极与MOS管Mb的源极相连，MOS管Mb的漏极与第二电容C2相连。

一实施例中，所述MOS管Ma的栅极施加有栅极电压Va，MOS管Mb的栅极施加有栅极电压Vb，栅极电压Va和Vb分别用于驱动MOS管Ma和MOS管Mb。

一实施例中，所述动态零点补偿单元用于产生一个1/(2π*R1*C1)的动态零点进行补偿。

一实施例中，所述基准电位为GND电位。

一实施例中，所述第一电容C1和第二电容C2还用于增强原有的零点。