[发明专利]像素结构、制作方法及面板

说明书

本发明公开了一种像素结构、制作方法及面板，该像素结构包括基板，基板内设有驱动电路，基板上从下至上依次设置有第一子像素、第二子像素和第三子像素；第一子像素的下表面通过第一电极与驱动电路连接，第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与驱动电路连接，第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与驱动电路连接，第三子像素的上表面通过第四电极与驱动电路连接；第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，驱动电路通过调节第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种像素结构、制作方法及面板。

背景技术

近几年，MicroLED研究非常火热，有机会作为下一代显示技术替代目前的LCD和OLED技术。然而由于侧壁缺陷带来的非辐射复合效应，LED晶粒尺寸从200um减小到5um时，蓝光内量子效率IQE会减少45％，绿光(IOE)会减少70％，红光IQE会减少80％。现有MicroLED技术都为红绿蓝子像素平面铺设排列，当显示屏分辨率较高时，子像素尺寸会变得更小(小于5um)，导致发光效率较低。另外MicroLED的优势在于其蓝光和绿光器件效率高，而红光效率不够，成为制约其性能的关键指标。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明目的之一在于提供一种结构新颖，发光效率高，便于调节的像素结构。其采用如下技术方案：

一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；

所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第二子像素的上表面和第三子像素的下表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的上表面通过第四电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、第二子像素和第三子像素之间、第三子像素上表面均填充有绝缘层；

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素均为LED，所述第一子像素、第二子像素和第三子像素共同封装形成(R、G、B)三色光一体式发光单元，所述驱动电路通过调节所述第一电极、第二电极、第三电极和第四电极上的电压来分别调节第一子像素、第二子像素和第三子像素的亮度。

一种像素结构的制作方法，用于制作上述的像素结构，其包括：

通过PVD或者溅射在基板上形成第一电极，通过刻蚀形成图案；

将第一子像素与第一电极有效贴合；

通过CVD工艺在所述第一子像素上制备绝缘层，并在第一子像素周边开孔；

通过PVD或者溅射在所述基板上形成第二电极，通过刻蚀形成图案；

通过上述方法制备第三电极和第四电极并依次将第二子像素和第三子像素与对应的电极有效贴合，最终形成叠层发光二极管。

一种像素结构，其包括基板，所述基板内设有驱动电路，所述基板上从下至上依次设置有三层叠层结构，三层结构中分别设有第一子像素、第二子像素和第三子像素；

所述第一子像素的下表面通过第一电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素的上表面和第二子像素的下表面均通过第二电极与所述驱动电路连接，所述第三子像素的下表面设有透明导电层，所述透明导电层的下表面和第二子像素的上表面均通过第三电极与所述驱动电路连接，所述第一子像素和第二子像素之间、所述透明导电层的下表面和第二LED的上表面之间均填充有绝缘层，所述第三子像素的还通过第四电极与所述驱动电路连接；