[发明专利]一种芯片包覆封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种芯片包覆封装结构，其特征在于，其包括芯片单体（111）和芯片电极（112），所述芯片电极（112）嵌入芯片单体（111）的上表面，

所述芯片电极（112）的内部设有若干个芯片电极钨塞孔（113），所述芯片电极钨塞孔（113）内填充金属钨，

所述芯片单体（111）的正面设置钝化层（210）并开设钝化层开口（213），所述钝化层开口（213）开设在芯片电极钨塞孔（113）上方，并露出芯片电极钨塞孔（113）的正面，

所述钝化层（210）的上表面设置再布线层（310），所述再布线层（310）与芯片电极钨塞孔（113）形成电气联通，并在再布线层（310）上方设置介电层（410），并开设介电层开口（411），所述介电层开口（411）露出再布线层（310）的正面；

所述介电层开口（411）处设置铜凸块（500），与再布线层（310）形成电气联通，在铜凸块（500）上方设置焊球（600）；

还包括包封层（121），所述包封层（121）包裹芯片单体（111）侧壁并向上延展至介电层（410）的侧面。

2.根据权利要求1所述的芯片包覆封装结构，其特征在于，所述包封层（121）还覆盖芯片单体（111）的背面。

3.根据权利要求1或2所述的芯片包覆封装结构，其特征在于，所述芯片包覆封装结构的下表面设置一体膜保护层（122）。

4.根据权利要求1所述的芯片包覆封装结构，其特征在于，所述钝化层开口（213）范围为4~10微米。

5.根据权利要求1所述的芯片包覆封装结构，所述包封层（121）及一体膜保护层（122）是具有光屏蔽特性的材料。

6.一种芯片包覆封装结构的封装方法，其特征在于，其包括如下步骤：

步骤一，取集成电路晶圆（100），其表面设有带有芯片电极钨塞孔（113）的芯片电极（112）及相应电路布局，覆盖于晶圆（100）上表面的钝化层（210）于芯片电极上方开设钝化层开口（213）露出芯片电极钨塞孔（113）的正面；

步骤二，利用再布线工艺在钝化层（210）上方设置再布线层（310），再布线层（310）与钝化层开口处的芯片电极钨塞孔（113）及芯片电极形成联通；

步骤三，利用光刻工艺在再布线层（310）表面设置介电层（410），并开设介电层开口（411），介电层开口（411）露出再布线层（310）的正面；

步骤四，通过物理研磨的方法将晶圆（100）背面进行减薄工艺，其减薄厚度根据实际情况确定，并将减薄的晶圆（100）通过激光切割或者刀片物理切割的方式切成单颗，形成芯片单体（111）；

步骤五，取一硅基支撑载体（710），并在硅基支撑载体（710）本体上黏贴剥离膜（730），将复数颗步骤四的芯片单体（111）按照一定的排列顺序倒装至硅基支撑载体（710）上，芯片单体（111）通过剥离膜（730）与硅基支撑载体（710）临时键合；

步骤六，在真空环境下，在硅基支撑载体（710）上通过注塑包封料或者贴包封膜的方式形成包封层（121），包封层（121）完全包覆芯片单体（111），形成包封层（121）保护的包封体，并将硅基支撑板（800）键合至薄膜包封体的背面；

步骤七，将硅基支撑载体（710）去除，同时去除剥离膜（730），露出芯片单体（111）上表面的介电层（410），并对芯片单体（111）的表面进行清洗，去除残留物；

步骤八，利用溅射或化学镀的方法在重构的晶圆表面沉积金属种子层，再依次利用光刻工艺和电镀工艺在介电层开口（411）处形成铜凸块（500）；

步骤九，在铜凸块（500）上方设置焊球（600），形成输入/输出端处形成连接件；

步骤十，通过物理研磨的方式去除硅基支撑板（800）；

步骤十一，将上述通过圆片级工艺完成的芯片包覆封装结构进行切割形成侧壁由包封层（120）包覆的芯片单体。