[发明专利]喷镀用材料和带喷镀膜的构件

说明书

本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE‑O‑X)与稀土元素卤化物(REX₃)的混晶。

本申请是中国发明专利申请201711086205.6的分案申请。中国发明专利申请201711086205.6的申请日是2017年11月7日，发明名称是喷镀用材料和带喷镀膜的构件。

技术领域

本发明涉及喷镀用材料、使用该喷镀用材料而形成的喷镀膜以及带喷镀膜的构件。本申请主张基于2016年11月7日申请的日本特愿第2016-217287号的优先权。该申请的全部内容作为参照组入本说明书中。

背景技术

通过将基材的表面用各种材料包覆来赋予新功能性的技术一直以来应用在各种各样领域。作为该表面包覆技术之一，已知有例如喷镀法：将由陶瓷等材料形成的喷镀颗粒通过燃烧或电能制成软化或熔化状态并向基材的表面吹送，从而形成由所述材料形成的喷镀膜。

另外，在半导体设备等制造领域中，通常通过使用了氟、氯、溴等卤素系气体的等离子体的干蚀刻来对半导体基板的表面实施微细加工。另外，在干蚀刻之后，对取出了半导体基板的腔室(真空容器)的内部，使用氧气等离子体进行清洁。此时，在腔室内，暴露于反应性高的氧气等离子体、卤素气体等离子体的构件有被腐蚀的可能性。并且腐蚀(侵蚀)部分从该构件以颗粒状地脱落时，所述颗粒可能附着于半导体基板而成为给电路带来缺陷的异物(以下，将该异物称为微粒)。

因此，一直以来，在半导体设备制造装置中，出于减少微粒产生的目的，对暴露于氧气、卤素气体等的等离子体的构件设置具备耐等离子体侵蚀性的陶瓷的喷镀膜。例如，专利文献1中公开了氟氧化钇可以具备高的耐等离子体侵蚀性，记载了使用钇的氟氧化物的至少一部分包含钇的氟氧化物的颗粒(造粒颗粒)作为喷镀用材料。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2014/002580号公报

专利文献2：日本专利第5911036号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，如专利文献2中记载那样，可以明确的是，包含氟氧化钇的喷镀用材料由于在喷镀膜的形成中氟成为气体而挥发，因此存在与使用了其他喷镀用材料的情况相比难以形成致密的喷镀膜这样的缺点。另外，由于喷镀中喷镀用材料组成的变化，也有难以控制构成喷镀膜的化合物组成这样的问题。需要说明的是，伴随着半导体设备集成度的提高，对于由微粒造成的污染，要求更精密的管理，对于半导体设备制造装置中设置的陶瓷的喷镀膜，也要求减少更微细的微粒的产生(耐发尘性的提高)。

鉴于这样的状况，本发明目的在于提供能够形成耐等离子体侵蚀性与耐发尘性均优异的致密的喷镀膜的喷镀用材料。另外，另一目的在于，提供使用该喷镀用材料形成的喷镀膜和带喷镀膜的构件。

用于解决问题的方案

本发明为了解决上述问题，提供具有以下特征的喷镀用材料。即，此处公开的喷镀用材料的特征在于，包含稀土元素、氧和卤素元素作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物与稀土元素卤化物的混晶。