[发明专利]一种纳米薄膜透射电镜原位加热芯片制样方法

权利要求书

1.一种纳米薄膜的透射电镜原位加热芯片制样方法，其特征在于包括以下步骤：

（1）液体注入装置的选择：选用微量进样器作为液体注入装置；

（2）液体注入装置的清洗和固定：用微量进样器抽取蒸馏水，并将其注射到滤纸上，重复至少三次将微量进样器内部清洗干净，然后再次抽取蒸馏水，并将其固定在微操作手上；

（3）将铜丝一端弯成铜环；

（4）将铜环移至薄膜样品附近，根据薄膜样品尺寸选择肉眼或在光学显微镜下将薄膜样品捞起至铜环上；

（5）在光学显微镜下，将微量进样器中的液体挤出，在微量进样器尖端形成一个液滴；

（6）将带有薄膜样品的铜环移至微量进样器尖端的液滴附近，使薄膜样品吸附在液滴上；

（7）在光学显微镜下，利用微操作手，将微量进样器尖端缓慢移动至芯片观察区域的上方，再缓缓降低微量进样器，使尖端带有薄膜样品的液滴精确吸附在芯片上Si₃N₄薄膜的样品观察区域然后移走微量进样器；

（8）将带有样品的芯片静置在光学显微镜下，使其自然干燥；

（9）将自然干燥后的带有样品的芯片移动至热源对其进行加热烘烤，确保样品不会因残留的水分子对电镜的真空产生不利的影响。

2.根据权利要求1所述的纳米薄膜的透射电镜原位加热芯片制样方法，其特征在于：所述的微量进样器为针长51-78 mm、外径0.5-0.7 mm、内径0.1-0.25 mm的平头微量进样器。

3.根据权利要求1所述的纳米薄膜的透射电镜原位加热芯片制样方法，其特征在于：所述的铜环是内径为0.3-0.8 mm的圆环。