[发明专利]体声波谐振器及弹性波滤波器装置在审

专利信息
申请号: 201911271466.4 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111327291A 公开(公告)日: 2020-06-23
发明(设计)人: 金泰润;韩源;李文喆 申请(专利权)人: 三星电机株式会社
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/15;H03H9/17;H03H9/13
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 武慧南;王秀君
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振器 弹性 滤波器 装置
【说明书】:

本发明提供一种体声波谐振器及弹性波滤波器装置,所述体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板上;压电层,至少部分地覆盖所述第一电极,并且包括设置在中央区域中的平坦部和设置在所述平坦部的外侧并具有至少一个台阶部的延伸部;插入层,设置在所述延伸部上;以及第二电极,设置在所述插入层的上部和所述压电层的上部上。所述延伸部包括:至少一个第一表面和至少一个第二表面,设置在所述平坦部的上表面之下;以及连接表面,将所述平坦部的上表面连接到所述至少一个第一表面或所述至少一个第二表面,或者使所述至少一个第一表面之中的第一表面彼此连接或使所述至少一个第二表面之中的第二表面彼此连接。

本申请要求分别于2018年12月14日和2019年7月22日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0162336号韩国专利申请和第10-2019-0088410号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。

技术领域

以下描述涉及一种体声波谐振器及弹性波滤波器装置。

背景技术

随着无线通信装置变得越来越紧凑,对高频组件的小型化的需求日益增长。作为示例,以应用半导体薄膜晶圆制造技术的体声波(BAW)谐振器的形式提供滤波器。

BAW谐振器是实现滤波器的一种薄膜器件,所述薄膜器件使用通过将压电介电材料沉积在诸如硅晶圆的半导体基板上而获得的压电特性来引起谐振。

BAW谐振器的应用示例包括移动通信装置、用于化学和生物装置的紧凑轻量的滤波器、振荡器、谐振元件、声波谐振质量传感器等。

为了增强BAW谐振器的特性和性能,正在研究各种结构形状和功能。相应地,还在不断研究用于制造BAW谐振器的方法。

发明内容

提供本发明内容以按照简化的形式介绍选择的构思,并在下面的具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面,一种体声波谐振器包括:基板;第一电极,设置在所述基板的上部上;压电层,被设置为至少部分地覆盖所述第一电极,并且包括平坦部和延伸部,所述平坦部设置在所述体声波谐振器的中央区域中,所述延伸部设置在所述平坦部的外侧并具有至少一个台阶部;插入层,设置在所述延伸部上;以及第二电极,设置在所述插入层的上部和所述压电层的上部上。所述延伸部包括:至少一个第一表面和至少一个第二表面,设置在所述平坦部的上表面之下;以及连接表面,将所述平坦部的上表面连接到所述至少一个第一表面或所述至少一个第二表面,或者使所述至少一个第一表面之中的第一表面彼此连接或使所述至少一个第二表面之中的第二表面彼此连接。

所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的部分的宽度可等于或小于1μm。

所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的部分的厚度可等于或小于所述压电层的厚度的一半。

所述至少一个第一表面可包括:一个第一表面,相对于所述平坦部的上表面具有台阶部;以及另一第一表面,设置在所述一个第一表面之下,并且相对于所述一个第一表面具有台阶部。所述一个第一表面与所述另一第一表面之间的在所述体声波谐振器的厚度方向上的间隔距离可等于或小于通过从所述压电层的厚度减去所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的部分的厚度而获得的厚度。

所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的部分可形成为延伸到所述另一第一表面。

所述连接表面可包括:第一连接表面,将所述平坦部的上表面连接到所述一个第一表面;以及第二连接表面,将所述一个第一表面连接到所述另一第一表面。所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的部分可形成为延伸到所述第二连接表面。

所述插入层的设置在所述第二电极的端部处的端部可设置在所述另一第一表面上。

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