[发明专利]部件、制造部件的方法、以及清洁部件的方法在审
申请号: | 201911271700.3 | 申请日: | 2019-12-06 |
公开(公告)号: | CN111293057A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | I·威德罗;G·拉杰;G·凯珀斯;A·奈克;F·罗达特;S·恭德哈勒卡尔;R·科迪纳甘哈里 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖;张鑫 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 部件 制造 方法 以及 清洁 | ||
1.一种环,包括:
主体;
气体流动系统,所述气体流动系统设置在所述主体内,所述气体流动系统包括:
弧形凹槽;
周向凹槽,其中所述周向凹槽具有比所述弧形凹槽的半径小的半径;
一个或多个内部通道,所述一个或多个内部通道将所述周向凹槽流体地耦接到所述弧形凹槽;以及
多个喷嘴区域,其中所述多个喷嘴区域设置在所述主体的内表面处,并且各自通过相应的喷嘴通道流体地耦接到所述周向凹槽。
2.如权利要求1所述的环,其中所述气流路径还包括外部通道,并且插塞元件设置在所述外部通道中。
3.如权利要求1所述的环,其中周向凹槽涂层设置在所述周向凹槽的至少一部分上方,并且弧形凹槽涂层设置在所述弧形凹槽的至少一部分上方。
4.如权利要求3所述的环,其中所述周向凹槽涂层和所述弧形凹槽涂层两者都包括镍。
5.如权利要求3所述的环,其中所述主体包括铝(Al),所述周向凹槽涂层包括阳极化铝,并且所述弧形凹槽涂层包括阳极化铝。
6.如权利要求1所述的环,还包括:
周向凹槽密封元件,其中所述周向凹槽密封元件设置在所述周向凹槽上方以形成第一封闭区域;以及
弧形凹槽密封元件,其中所述弧形凹槽密封元件设置在所述弧形凹槽上方以形成第二封闭区域,
其中所述一个或多个内部通道被配置为将所述第一封闭区域流体地耦接到所述第二封闭区域。
7.如权利要求6所述的环,其中所述周向凹槽密封元件包括周向密封突片,并且所述弧形密封元件包括弧形密封突片。
8.如权利要求6所述的环,其中所述周向凹槽密封元件焊接到所述主体,并且所述弧形凹槽密封元件焊接到所述主体。
9.如权利要求1所述的环,还包括在所述多个喷嘴区域中的每个内的喷嘴。
10.如权利要求9所述的环,其中所述多个喷嘴包括陶瓷材料。
11.一种用于制造环的方法,包括:
在所述环的主体中形成气体流动系统,所述气体流动系统包括:
弧形凹槽;
周向凹槽,其中所述周向凹槽具有比所述弧形凹槽的半径小的半径;
一个或多个内部通道,所述一个或多个内部通道将所述周向凹槽流体地耦接到所述弧形凹槽;以及
多个喷嘴区域,其中所述多个喷嘴区域设置在所述主体的内表面处,并且各自通过相应的喷嘴通道流体地耦接到所述周向凹槽;以及
沉积周向凹槽涂层和弧形凹槽涂层,其中所述周向凹槽涂层设置在所述周向凹槽的至少一部分上方,并且所述弧形凹槽涂层设置在所述弧形凹槽的至少一部分上方。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述气流路径还包括外部通道,所述方法还包括用插塞元件密封所述外部通道。
13.如权利要求11所述的方法,其中所述周向凹槽涂层和所述弧形凹槽涂层各自包括镍(Ni),并且所述弧形凹槽涂层包括镍(Ni)。
14.如权利要求11所述的方法,其中所述主体包括铝(Al),并且所述沉积所述周向凹槽涂层和所述弧形凹槽涂层包括对所述周向凹槽和所述弧形凹槽的一部分进行阳极化。
15.如权利要求11所述的方法,还包括将喷嘴放置在所述多个喷嘴区域中的每个内。
16.如权利要求11所述的方法,其中所述沉积所述周向凹槽涂层和所述弧形凹槽涂层包括将所述周向凹槽和所述弧形凹槽暴露于工艺化学物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造