[发明专利]部件、制造部件的方法、以及清洁部件的方法在审

专利信息
申请号: 201911271700.3 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111293057A 公开(公告)日: 2020-06-16
发明(设计)人: I·威德罗;G·拉杰;G·凯珀斯;A·奈克;F·罗达特;S·恭德哈勒卡尔;R·科迪纳甘哈里 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;张鑫
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 部件 制造 方法 以及 清洁
【说明书】:

提供了一种部件、一种制造部件的方法、以及一种清洁部件的方法。所述部件包括在所述部件内的气体流动系统,其中所述气体流动系统流体地耦接一个或多个入口孔和一个或多个出口孔。所述部件的所述制造产生在环的主体中产生的弧形凹槽和周向凹槽。所述部件经受一个或多个清洁操作,包括冲洗、烘烤或净化操作。所述清洁操作去除在所述部件中或所述部件上的碎屑或颗粒,其中所述碎屑或颗粒可能是在所述部件的所述制造期间、或在半导体处理系统中使用所述部件期间引起的。

相关申请的交叉引用

本申请要求2018年12月7日提交的美国临时专利申请第62/776,986号、2019年2月7日提交的美国临时专利申请第62/802,562号、以及2019年5月17日提交的美国临时专利申请第62/849,699号的优先权,以上申请中的每个的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明的实施方式涉及部件和方法,并且更具体地,涉及一种处理腔室部件、一种制造处理腔室部件的方法、以及一种清洁处理腔室部件的方法。

背景技术

衬底处理典型地涉及在衬底上形成一个或多个层。一般,衬底(例如,硅晶片)放置在半导体处理反应器中的底座上。将工艺气体引入半导体处理反应器中,并且从工艺气体在衬底上形成层。为了确保衬底上形成的层的特性的均匀性,重要的是,每个形成的层在整个衬底上(例如,在厚度上)是均匀的。为了提高形成的层的均匀性,通常使放置有衬底的底座在半导体处理腔室内旋转。

一般,气体输送系统位于半导体处理腔室中的衬底上方,并且由气体输送装置(例如,喷头)注入的工艺气体以均匀的方式下降到所述衬底的表面上。气体输送系统一般含有各种通道,工艺气体通过这些通道流动,从气体注入器开始,并且在多个注入阀结束。

为了维持沉积均匀地覆盖在下方的衬底上,处理系统中的部件必须保持没有碎屑,并且因此部件需要经常清洁。在当前技术中制造和清洁部件的一个缺点是通常在正常使用处理腔室时因使工艺气体流动而形成碎屑。在部件上或部件中形成的碎屑或残余物妨碍这些部件的正常运行。例如,碎屑可能在气体输送装置(诸如环或喷头)的通道中形成,这造成了由气体输送系统输送的气体的不均匀的流动,进而引起在衬底上的材料的不均匀的生长。此外,可能在部件本身的制造期间产生碎屑,从而导致部件在第一次使用时发生故障。

因此,本领域中需要的是无碎屑的半导体处理部件、防止残余物或碎屑堆积的制造部件的方法、以及有效地去除碎屑或残余物的清洁部件的方法。

发明内容

在一个实施方式中,提供了一种环,包括:主体;气体流动系统,所述气体流动系统设置在所述主体内。所述气体流动系统包括:弧形凹槽;周向凹槽;一个或多个内部通道,所述一个或多个内部通道将所述周向凹槽流体地耦接到所述弧形凹槽;以及多个喷嘴区域,其中所述多个喷嘴区域设置在所述主体的内表面处,并且各自通过喷嘴通道流体地耦接到所述周向凹槽。所述周向凹槽具有比所述弧形凹槽的半径小的半径。

在另一个实施方式中,提供了一种用于制造环的方法,包括:在所述环的主体中形成气体流动系统,所述气体流动系统包括:弧形凹槽;周向凹槽;一个或多个内部通道,所述一个或多个内部通道将所述周向凹槽流体地耦接到所述弧形凹槽;以及多个喷嘴区域,其中所述多个喷嘴区域设置在所述主体的内表面处,并且各自通过喷嘴通道流体地耦接到所述周向凹槽,并且所述周向凹槽具有比所述弧形凹槽的半径小的半径;以及沉积周向凹槽涂层和弧形凹槽涂层,其中所述周向凹槽涂层设置在所述周向凹槽的至少一部分上方,并且所述弧形凹槽涂层设置在所述弧形凹槽的至少一部分上方。

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