[发明专利]一种纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法

权利要求书

1.一种纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：将硅放入第一容器中，所述第一容器由石墨制成，所述第一容器置于一密闭的环境温度为50～150℃的反应腔内，所述第一容器连接电流控制器的阳极，所述电流控制器的阴极连接电子枪；

S02：通过控制电流控制器使得电子枪产生电子束轰击硅，使得硅产生硅蒸汽分子；

S03：硅蒸汽分子在反应腔内达到一定的压力后，在反应腔内通入相应比例的氧气，控制反应腔内的工作反应压力为2×10^-3～5×10^-3Pa，反应得到氧化硅微球粉体；

S04：检测反应腔的压力，当反应腔的压力变化率小于设定阈值时，反应腔内新形成的纳米级超高纯氧化硅微球粉体通过管道由机械泵抽走并收集装袋。

2.根据权利要求1所述的纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法，其特征在于，所述电流控制器提供给阳极的加速电压为8～10KV。

3.根据权利要求1所述的纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤S01中还包括在反应前对反应腔进行抽真空，反应腔内的压力为5×10^-6～5×10^-5Pa的负压环境。

4.根据权利要求3所述的纳米级超高纯氧化硅微球粉体的制备方法，其特征在于，所述步骤S03中通入相应比例的氧气包括，控制氧气的流入速率与硅分子的蒸发速率相同。