[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

存储区域；和

设定电路，其适用于基于温度信息信号来改变设定信息，使得存储区域在伪低温下根据第一条件进行操作，而在室温下根据第二条件进行操作。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述伪低温包括77K±7K。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述设定信息包括与刷新操作有关的信息。

4.根据权利要求1所述的存储器件，还包括设定控制电路，其适用于生成所述温度信息信号。

5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述设定控制电路包括模式寄存器组和熔丝电路中的任一个。

6.根据权利要求4所述的存储器件，其中，所述设定控制电路包括温度传感器。

7.一种存储器件，包括：

设定电路，其适用于：基于温度信息信号，在伪低温下生成第一设定信息作为存储器设定信息，而在室温下生成第二设定信息作为存储器设定信息；

刷新控制电路，其适用于基于所述存储器设定信息和刷新信号来生成与所述第一设定信息和所述第二设定信息中的任一个相对应的一个或更多个刷新控制信号；和

存储区域，其适用于：基于所述刷新控制信号和地址信号，根据与所述第一设定信息相对应的第一条件来执行刷新操作，或者根据与所述第二设定信息相对应的第二条件来执行刷新操作。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述伪低温包括77K±7K。

9.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述存储器设定信息包括指示对应于刷新周期的激活时间点和预充电时间点之间的差的时间信息。

10.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述存储区域包括多个存储体组，

其中，所述刷新控制电路生成与所述多个存储体组相对应的多个刷新控制信号，并且

其中，所述存储器设定信息包括指示所述多个刷新控制信号之间的差的延迟时间信息。

11.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述设定电路包括：

第一储存电路，其适用于储存所述第一设定信息；

第二储存电路，其适用于储存所述第二设定信息；和

设定选择电路，其适用于：基于所述温度信息信号，输出所述第一设定信息和所述第二设定信息中的任一个作为所述存储器设定信息。

12.根据权利要求7所述的存储器件，还包括设定控制电路，所述设定控制电路适用于生成所述温度信息信号。

13.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述设定控制电路包括模式寄存器组和熔丝电路中的任一个。

14.根据权利要求12所述的存储器件，其中，所述设定控制电路包括温度传感器。

15.一种存储器件的操作方法，包括：

确定所述存储器件的温度；

当所述存储器件的温度为伪低温时，生成第一设定信息作为存储器设定信息；

基于所述存储器设定信息来生成一个或更多个刷新控制信号；和

基于所述刷新控制信号，根据与所述伪低温对应的第一条件来执行刷新操作。

16.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述伪低温包括77K±7K。

17.根据权利要求15所述的操作方法，其中，所述存储器设定信息包括指示对应于刷新周期的激活时间点和预充电时间点之间的差的时间信息。