[发明专利]存储器件

说明书

一种存储器件，包括：存储区域；以及设定电路，其适用于基于温度信息信号来改变设定信息，使得该存储区域在伪低温下根据第一条件进行操作，而在室温下根据第二条件进行操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年4月22日提交的申请号为10-2019-0046911的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例涉及半导体设计技术，并且更具体地，涉及在低温下操作的存储器件及其操作方法。

背景技术

在低温下操作的存储器件比在室温下操作的存储器件消耗更少的功率。例如，在低温下操作的动态随机存取存储器(DRAM)中的存储单元比在室温下操作的DRAM具有更长的数据保留时间。因此，在低温下操作的DRAM很少执行刷新操作或最大化了刷新周期，从而降低了功耗。

发明内容

各个实施例针对能够在伪低温和室温下自适应地操作的存储器件以及该存储器件的操作方法。

根据一个实施例，一种存储器件包括：存储区域；以及设定电路，其适用于基于温度信息信号来改变设定信息，使得存储区域在伪低温下根据第一条件操作，而在室温下根据第二条件操作。

伪低温可以包括77K±7K。

设定信息可以包括与刷新操作有关的信息。

该存储器件可以进一步包括适用于生成温度信息信号的设定控制电路。

设定控制电路可以包括模式寄存器组和熔丝电路中的任一个。

设定控制电路可以包括温度传感器。

根据一个实施例，一种存储器件包括：设定电路，其适用于基于温度信息信号，在伪低温下生成第一设定信息作为存储器设定信息，而在室温下生成第二设定信息作为存储器设定信息；刷新控制电路，其适用于基于存储器设定信息和刷新信号来生成与第一设定信息和第二设定信息中的任一个相对应的一个或更多个刷新控制信号；以及存储区域，其适用于基于刷新控制信号和地址信号，根据与第一设定信息相对应的第一条件执行刷新操作，或者根据与第二设定信息相对应的第二条件执行刷新操作。

伪低温可以包括77K±7K。

存储器设定信息可以包括指示对应于刷新周期的激活时间点和预充电时间点之间的差的时间信息。

存储区域可以包括多个存储体组，刷新控制电路可以生成与多个存储体组相对应的多个刷新控制信号，并且存储器设定信息可以包括指示多个刷新控制信号之间的差的延迟时间信息。

所述设定电路可以包括：第一储存电路，其适用于储存第一设定信息；第二储存电路，其适用于储存第二设定信息；以及设定选择电路，其适用于基于温度信息信号而输出第一设定信息和第二设定信息中的任一个作为存储器设定信息。

存储器件可以进一步包括适用于生成温度信息信号的设定控制电路。

设定控制电路可以包括模式寄存器组和熔丝电路中的任一个。

设定控制电路可以包括温度传感器。

根据一个实施例，一种存储器件的操作方法：确定存储器件的温度；当存储器件的温度为伪低温时，生成第一设定信息作为存储器设定信息；基于存储器设定信息生成一个或更多个刷新控制信号；并且基于刷新控制信号，根据与伪低温相对应的第一条件执行刷新操作。

伪低温可以包括77K±7K。

存储器设定信息可以包括指示对应于刷新周期的激活时间点和预充电时间点之间的差的时间信息。

存储器设定信息可以包括指示当存储体组被顺序地刷新时多个存储体组之间的差的延迟时间信息。