[发明专利]应用于半导体腔室的净化系统在审
| 申请号： | 201911273079.4 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN111318151A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 金建澔;具德滋 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | B01D53/78 | 分类号： | B01D53/78;F23G7/06;B01D53/32 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 应用于 半导体 净化系统 | ||
1.一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接；其特征在于，所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。
2.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器并排设于所述管接件内。
3.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器被分成多排且每一排所述净化器并排设置。
4.如权利要求3所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，多排所述净化器中的至少一相邻两排所述净化器交错设置。
5.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述净化器设有第一电极、第二电极、第三电极、绝缘部及通道，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极被所述绝缘部隔开，所述通道设于所述绝缘部内。
6.如权利要求5所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极平行设置于所述净化器的两侧，所述第三电极和所述通道设于所述第一电极和所述第二电极之间。
7.如权利要求6所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极中包含导电材料，所述绝缘部包含三氧化二铝。
8.如权利要求7所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述导电材料为铝。
9.如权利要求5所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，当所述净化器在去除所述反应副产物时，所述第一电极接地，所述第二电极连接交流电压，所述第三电极连接频射电源。
10.如权利要求1所述的应用于半导体腔室的净化系统，其特征在于，所述管接件内还设有吸附件，所述吸附件的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述净化器设于所述半导体腔室和所述吸附件之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911273079.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
