[发明专利]应用于半导体腔室的净化系统

说明书

一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接，所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。上述应用于半导体腔室的净化系统，能够去除从所述半导体腔室的所述出口流出的反应副产物，从而排出干净的气体。

技术领域

本发明涉及一种净化系统，尤其涉及一种应用于半导体腔室的净化系统。

背景技术

在半导体腔室内进行蚀刻工艺或化学气相沉积工艺时，腔室内会产生带有反应副产物的气体，该气体会从与腔室连接的泵、管道中排出，如果没有去除这些带有反应副产物的气体，该气体排至大气中后，会污染大气中的气体。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种应用于半导体腔室的净化全系统，旨在能够去除气体中的反应副产物，排出干净的气体到大气中。

一种应用于半导体腔室的净化系统，用于去除半导体腔室中产生的反应副产物，包括：泵，所述半导体腔室的出口和所述泵之间通过管接件连接；所述管接件内设有净化器，所述净化器的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述出口与所述净化器之间的距离范围不超过50cm；所述净化器用于去除从所述出口流出的气体中带有的所述反应副产物，去除所述反应副产物后的气体从所述管接件流出至所述泵中，所述泵将所述气体排出。

在至少一个实施方式中，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器并排设于所述管接件内。

在至少一个实施方式中，所述应用于半导体腔室的净化系统包括多个所述净化器，多个所述净化器被分成多排且每一排所述净化器并排设置。

在至少一个实施方式中，多排所述净化器中的至少一相邻两排所述净化器交错设置。

在至少一个实施方式中，所述净化器设有第一电极、第二电极、第三电极、绝缘部及通道，所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极被所述绝缘部隔开，所述通道设于所述绝缘部内。

在至少一个实施方式中，所述第一电极和所述第二电极平行设置于所述净化器的两侧，所述第三电极和所述通道设于所述第一电极和所述第二电极之间。

在至少一个实施方式中，所述第一电极和所述第二电极中包含导电材料，所述绝缘部包含三氧化二铝。

在至少一个实施方式中，所述导电材料为铝。

在至少一个实施方式中，当所述净化器在去除所述反应副产物时，所述第一电极接地，所述第二电极连接交流电压，所述第三电极连接频射电源。

在至少一个实施方式中，所述管接件内还设有吸附件，所述吸附件的外壁贴合于所述管接件的内壁，所述净化器设于所述半导体腔室和所述吸附件之间。

上述提供的应用于半导体腔室的净化系统包括泵及用于连接泵和半导体腔室的管接件，所述管接件内设有净化器，所述半导体腔室的出口与所述净化器之间的距离不超过50cm，所述净化器用于去除从所述半导体腔室的出口中流出的气体，以去除气体中的反应副产物。上述应用于半导体腔室的净化系统能够去除气体中的反应副产物，改善反应副产物附着在泵或管接件内的现象。

附图说明

图1为应用于半导体腔室的净化系统第一实施方式的示意图。

图2为净化器的立体图剖视图。

图3为应用于半导体腔室的净化系统第二实施方式的示意图。

图4为应用于半导体腔室的净化系统第三实施方式的示意图。