[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，设有显示区和阵列基板行驱动区，其特征在于，包括：

衬底基板；

低温多晶硅薄膜晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；

第一电容，位于所述低温多晶硅薄膜晶体管单元内；

金属氧化物晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相间隔地设置；以及

第二电容，位于所述金属氧化物晶体管单元内。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

间隔设置的多晶硅层和半导体氧化层，均位于所述衬底基板上；

第一栅极绝缘层，位于所述多晶硅层和所述半导体氧化层上；

第一金属层，位于所述第一栅极绝缘层上；所述第一金属层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极，其中，所述第一栅极位于所述多晶硅层的上方，所述第二栅极位于所述半导体氧化层的上方；

第二栅极绝缘层，位于所述第一金属层上；

层间绝缘层，位于所述第二栅极绝缘层上；以及

第二金属层，位于所述层间绝缘层上；所述第二金属层包括间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，其中，所述第一源极和第一漏极分别与所述多晶硅层电连接，所述第二源极和所述第二漏极分别与所述半导体氧化层电连接；

其中，所述多晶硅层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极、所述第二栅极绝缘层、所述第一源极和所述第一漏极形成所述硅薄膜晶体管单元；所述半导体氧化层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极、第二栅极绝缘层、所述第二源极和所述第二漏极形成所述金属氧化物晶体管单元。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

第三金属层，位于所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层之间；所述第三金属层包括间隔设置的第一电容极板、第二电容极板，所述第一电容极板与所述第一栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方，所述第二电容极板与所述第二栅极相对设置且位于所述第二栅极的上方；

其中，所述第一栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第一电容极板形成所述第一电容，所述第二栅极、所述第一栅极绝缘层和所述第二电容极板形成所述第二电容。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层还包括换线层，所述换线层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间，所述换线层与所述第一漏极电连接。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

钝化层，位于所述第二金属层上；

平坦层，位于所述钝化层上；

阳极层，位于所述平坦层上且与所述第二漏极电连接；

像素定义层，位于所述阳极层上；以及

发光层，位于所述像素定义层上且与所述阳极层电连接。

6.一种阵列基板的制造方法，所述阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，其特征在于，包括步骤：

制作衬底基板；

制作低温多晶硅薄膜晶体管单元，在所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内制作低温多晶硅薄膜晶体管单元；

制作第一电容，在与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元重叠区域制作第一电容；

制作金属氧化物晶体管单元，在所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内制作金属氧化物晶体管单元，所述金属氧化物晶体管单元与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；以及

制作第二电容，在与所述金属氧化物晶体管单元重叠区域制作第二电容。