[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制造方法。阵列基板设有显示区和阵列基板行驱动区，阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相对应设置；所述金属氧化物晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元间隔设置；所述第二电容与所述金属氧化物晶体管单元相对应设置。本发明通过在一个阵列基板的显示区内采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

有机电致发光二极管(organic light-emitting diode,OLED)显示器是一种新兴的平板显示器，其具备自发光，对比度高，厚度薄，视角广，反应速度快，可用于柔性显示面板等优异的特性，因此具有非常好的发展前景。

薄膜晶体管分为非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)、低温多晶硅(Low TemperaturePoly-silicon，LTPS)薄膜晶体管、及金属氧化物(metal oxide)薄膜晶体管。其中非晶硅薄膜晶体管与低温多晶硅薄膜晶体管为硅基薄膜晶体管，具有开关速度快及驱动电流大的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD栅极驱动；金属氧化物薄膜晶体管具有均一性良好及漏电流低的优点，可用于OLED显示像素驱动及LCD显示像素驱动和外围驱动电路。

OLED作为一种自发光显示，目前，较为成熟的技术是采用低温多晶硅(LTPS，lowtemperature poly silicon)分别制备CMOS电路中PMOS区域和NMOS区域的半导体层来驱动OELD显示。其中，在利用LTPS工艺制备CMOS电路的过程中，需要使用至少9次以上的光刻胶掩膜板和至少4次以上的掺杂工艺(p型离子掺杂，n型离子掺杂，LDD掺杂及Ch掺杂)，制作流程复杂，生产成本较高，边框较宽。

因此，如何实现一种制程简单、生产成本低、实现窄边框的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法是一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种阵列基板及其制造方法，通过在一个阵列基板的显示区采用低温多晶硅薄膜晶体管单元电路结构，在阵列基板行驱动区采用单独驱动的低温多晶硅薄膜晶体管单元和金属氧化物薄膜晶体管单元构成的CMOS电路结构，实现了超窄边框，并且简化了工艺、生产成本低。

为了实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，设有显示区和阵列基板行驱动区，所述阵列基板包括衬底基板、低温多晶硅薄膜晶体管单元、金属氧化物晶体管单元、第一电容以及第二电容；具体地讲，所述低温多晶硅薄膜晶体管单元位于所述衬底基板上且位于所述显示区和所述阵列基板行驱动区内；所述第一电容位于所述低温多晶硅薄膜晶体管单元内；所述金属氧化物晶体管单元，位于所述衬底基板上且位于所述阵列基板行驱动区内，并与所述低温多晶硅薄膜晶体管单元相间隔地设置；所述第二电容位于所述金属氧化物晶体管单元内。