[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
申请号: | 201911274668.4 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112086455A | 公开(公告)日: | 2020-12-15 |
发明(设计)人: | 朴亨镇 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
包括位线的层叠线结构,所述层叠线结构位于衬底上方;
有源层,其位于比所述层叠线结构高的水平处并且与所述位线平行;
电容器,其位于比所述有源层高的水平处;
第一插塞,其延伸穿过所述有源层以耦接到所述位线;
第二插塞,其形成在所述有源层与所述电容器之间,以将所述有源层耦接到所述电容器;以及
字线,其在与所述位线和所述有源层交叉的方向上延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述层叠线结构包括:
掩埋电介质线,其形成在所述位线与所述有源层之间;
缓冲线,其形成在所述位线与所述衬底之间;以及
突出部,其位于所述缓冲线下方以从所述衬底突出。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述第一插塞穿过所述掩埋电介质线耦接到所述位线。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二插塞的下部延伸以覆盖所述有源层的边缘侧。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二插塞的上部延伸以与所述字线竖直地重叠。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一插塞的顶表面位于比所述字线低的水平处。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述位线包含基于金属的材料。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一插塞包括耦接到所述位线的金属插塞以及在所述金属插塞上掺杂有杂质的多晶硅插塞。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一插塞和所述第二插塞中的每个包含掺杂有杂质的多晶硅。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述有源层包括与所述第一插塞耦接的第一源极/漏极区和与所述第二插塞耦接的第二源极/漏极区,以及
其中,所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区掺杂有从所述掺杂有杂质的多晶硅扩散的杂质。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述字线包括彼此平行的一对字线,并且所述一对字线设置在所述有源层上方。
12.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述字线位于比所述位线和所述有源层高的水平处。
13.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述有源层与所述位线竖直地重叠。
14.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:
隔离层,其围绕所述有源层的侧壁。
15.根据权利要求14所述的半导体器件,其中,所述隔离层包括:
第一隔离层,其包括位于所述层叠线结构的两个侧壁上的气隙;以及
第二隔离层,其形成在所述有源层的第二对侧壁上,
其中,所述第一隔离层延伸以覆盖所述有源层的第一对侧壁。
16.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,所述层叠线结构包括多个层叠线结构,并且所述第一隔离层设置在所述层叠线结构之间。
17.根据权利要求15所述的半导体器件,其中,所述有源层包括多个有源层,并且所述第二隔离层设置在所述有源层之间。
18.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第二插塞包括彼此间隔开的一对第二插塞,并且所述第二插塞与所述有源层直接接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的