[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，应用于反射型液晶显示装置，所述阵列基板包括设置在基底上的薄膜晶体管，覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，设置在所述钝化层上的反射层，以及设置在所述反射层上的第一连接电极，所述第一连接电极通过所述钝化层上设置的第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极连接，所述反射层通过所述第一连接电极与所述薄膜晶体管的第一极连接，同时作为像素电极；所述阵列基板还包括位于外围区域的栅连接电极、源漏连接电极和第二连接电极，所述栅连接电极与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置，所述源漏连接电极与所述薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置，所述第二连接电极与第一连接电极同层设置，所述钝化层上还设置有暴露出所述栅连接电极的第二过孔和暴露出所述源漏连接电极的第三过孔，所述第二连接电极通过所述第二过孔与栅连接电极连接，通过所述第三过孔与源漏连接电极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一连接电极和第二连接电极的材料包括非晶态氧化铟锡。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述反射层的材料包括铝。

4.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～3任一所述的阵列基板。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，应用于反射型液晶显示装置，所述制备方法包括：

在基底的有效显示区域形成薄膜晶体管，在外围区域形成栅连接电极和源漏连接电极，所述栅连接电极与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置，且通过同一次构图工艺形成，所述源漏连接电极与所述薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置，且通过同一次构图工艺形成；

形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层，在所述钝化层上沉积金属薄膜，通过构图工艺对金属薄膜进行构图，形成设置在所述钝化层上的反射层；

通过同一次构图工艺，在所述钝化层上形成暴露出所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔、暴露出所述栅连接电极的第二过孔和暴露出所述源漏连接电极的第三过孔；

通过同一次构图工艺，在所述反射层上形成第一连接电极和第二连接电极，所述第一连接电极设置在所述反射层上，所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一极连接，所述反射层通过所述第一连接电极与所述薄膜晶体管的第一极连接，同时作为像素电极；所述第二连接电极设置在所述钝化层上，通过所述第二过孔与栅连接电极连接，通过所述第三过孔与源漏连接电极连接。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述第一连接电极和第二连接电极的材料包括非晶态氧化铟锡。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述反射层的材料包括铝。