[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201911275342.3 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN110989259B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 韦东梅;罗皓;吴博 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置。阵列基板包括设置在基底上的薄膜晶体管,覆盖所述薄膜晶体管的钝化层,设置在所述钝化层上的反射层,以及设置在所述反射层上的第一连接电极,所述第一连接电极通过所述钝化层上设置的第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极连接。本发明采用第一连接电极设置在反射层上、反射层通过第一连接电极与薄膜晶体管的第一极连接的结构,通过先制备反射层后制备第一连接电极的工艺,避免了在刻蚀反射层时腐蚀外围区域的周边电路,克服了周边电路出现信赖性问题,提高了周边电路的工作可靠性,有效解决了现有反射型显示装置存在周边电路工作可靠性低等问题。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,已得到迅速发展。LCD的主体结构包括对盒(CELL)的薄膜晶体管阵列(Thin FilmTransistor,TFT)基板和彩膜(Color Filter,CF)基板,液晶(Liquid Crystal,LC)分子填充在阵列基板和彩膜基板之间,通过控制公共电极和像素电极来形成驱动液晶偏转的电场,实现灰阶显示。
按照光源方式,LCD可以分为透射型、反射型和半透半反型。其中,反射型显示装置是在阵列基板一侧设置一层全反射层,利用该全反射层对外界入射的自然光线进行反射,从而实现显示。由于反射型显示装置采用自然光作为光源,不需要使用背光源,因而可以大大降低屏幕的功耗,有效增加显示装置的续航时间,特别适用于可穿戴电子设备,如智能手表、智能手环等。但实际应用表明,现有反射型显示装置存在周边电路工作可靠性低等问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题是,提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,以解决现有反射型显示装置存在周边电路工作可靠性低等问题。
为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种阵列基板,包括设置在基底上的薄膜晶体管,覆盖所述薄膜晶体管的钝化层,设置在所述钝化层上的反射层,以及设置在所述反射层上的第一连接电极,所述第一连接电极通过所述钝化层上设置的第一过孔与所述薄膜晶体管的第一极连接。
可选地,还包括位于外围区域的栅连接电极和源漏连接电极,所述栅连接电极与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置,所述源漏连接电极与所述薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置。
可选地,还包括位于外围区域的第二连接电极,所述第二连接电极与第一连接电极同层设置,所述钝化层上还设置有暴露出所述栅连接电极的第二过孔和暴露出所述源漏连接电极的第三过孔,所述第二连接电极通过所述第二过孔与栅连接电极连接,通过所述第三过孔与源漏连接电极连接。
可选地,所述第一连接电极和第二连接电极的材料包括非晶态氧化铟锡。
可选地,所述反射层的材料包括铝。
本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述阵列基板。
为了解决上述技术问题,本发明实施例还提供了一种阵列基板的制备方法,包括:
在基底上形成薄膜晶体管;
形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层以及设置在所述钝化层上的反射层;
在所述钝化层上形成暴露出所述薄膜晶体管的第一极的第一过孔;
在所述反射层上形成第一连接电极,所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述第一极连接。
可选地,在基底上形成薄膜晶体管,包括:在基底的有效显示区域形成薄膜晶体管,在外围区域形成栅连接电极和源漏连接电极,所述栅连接电极与所述薄膜晶体管的栅电极同层设置,且通过同一次构图工艺形成,所述源漏连接电极与所述薄膜晶体管的第一极和第二极同层设置,且通过同一次构图工艺形成。
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