[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的表面形成第一栅极结构；

在所述第一栅极结构两侧的衬底内形成源漏开口；

在所述源漏开口的底面和侧壁面形成第一应力层；

减薄所述第一应力层的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述减薄第一应力层的方法包括：在所述第一应力层的侧壁内形成过渡层；去除所述过渡层。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述过渡层的方法包括：对所述第一应力层的侧壁进行第一离子注入工艺。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺所注入的离子包括氮离子、碳离子、锗离子和氮离子中的一种或多种的组合。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的参数包括：离子注入的能量范围为1KeV～5KeV；离子注入的剂量范围为1e15 atm/cm²～1e16 atm/cm²。

6.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的参数包括：离子注入的角度范围为7度至25度，所述离子注入的角度为离子注入的方向与参照面之间的夹角，所述参照面为垂直于所述衬底表面且平行于沟道宽度方向的平面。

7.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述过渡层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述第一应力层具有第一刻蚀速率，所述湿法刻蚀工艺对所述过渡层具有第二刻蚀速率，且所述第二刻蚀速率大于所述第一刻蚀速率。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在减薄所述第一应力层的侧壁后，在垂直于所述源漏开口的侧壁面的方向上，第一应力层的侧壁具有第一厚度，且所述第一厚度的范围1纳米至4纳米。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一应力层包括第一区和第二区，所述第一区和第二区沿垂直于衬底表面的方向排布，所述第一应力层的侧壁位于所述第一区内；在减薄所述第一应力层的侧壁后，在垂直于所述源漏开口的底面的方向上，所述第二区的第一应力层具有第二厚度，且所述第二厚度大于所述第一厚度。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二厚度的范围为5纳米至10纳米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述源漏开口的深宽比范围为5:6至10:7。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一应力层表面形成第二应力层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二应力层的方法包括：在减薄所述第一应力层的侧壁后，在所述第一应力层的表面上形成所述第二应力层；形成所述第一应力层的工艺包括外延生长工艺；形成所述第二应力层的工艺包括外延生长工艺。

14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在减薄所述第一应力层的侧壁后，在形成所述第二应力层前，对所述第一应力层进行表面处理，所述表面处理包括灰化处理，以及在所述灰化处理后进行的退火处理。

15.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一栅极结构顶部表面形成第一阻挡层，在所述第一栅极结构侧壁表面形成第一侧墙，在所述第一侧墙表面形成第二侧墙。