[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的衬底内形成源漏开口；在所述源漏开口的底面和侧壁面形成第一应力层；减薄所述第一应力层的侧壁。所述形成方法形成的半导体结构能够提高半导体器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路制造技术的快速发展，促使集成电路中的半导体器件的尺寸不断地缩小，使整个集成电路的运作速度将因此而能有效地提升。

在超大规模集成电路中，通常通过在晶体管上形成应力，从而增大晶体管的载流子迁移率，以增大晶体管的驱动电流。

然而，现有技术形成的半导体器件的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体结构及其形成方法，以提高半导体器件的性能。

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底的表面形成第一栅极结构；在所述第一栅极结构两侧的衬底内形成源漏开口；在所述源漏开口的底面和侧壁面形成第一应力层；减薄所述第一应力层的侧壁。

可选的，所述减薄第一应力层的方法包括：在所述第一应力层的侧壁内形成过渡层；去除所述过渡层。

可选的，形成所述过渡层的方法包括：对所述第一应力层的侧壁进行第一离子注入工艺。

可选的，所述第一离子注入工艺所注入的离子包括氮离子、碳离子、锗离子和氮离子中的一种或多种的组合。

可选的，所述第一离子注入工艺的参数包括：离子注入的能量范围为1KeV～5KeV；离子注入的剂量范围为1e15atm/cm²～1e16atm/cm²。

可选的，所述第一离子注入工艺的参数包括：离子注入的角度范围为7度至25度，所述离子注入的角度为离子注入的方向与参照面之间的夹角，所述参照面为垂直于所述衬底表面且平行于沟道宽度方向的平面。

可选的，去除所述过渡层的工艺包括湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺对所述第一应力层具有第一刻蚀速率，所述湿法刻蚀工艺对所述过渡层具有第二刻蚀速率，且所述第二刻蚀速率大于所述第一刻蚀速率。

可选的，在减薄所述第一应力层的侧壁后，在垂直于所述源漏开口的侧壁面的方向上，第一应力层的侧壁具有第一厚度，且所述第一厚度的范围1纳米至4纳米。

可选的，所述第一应力层包括第一区和第二区，所述第一区和第二区沿垂直于衬底表面的方向排布，所述第一应力层的侧壁位于所述第一区内；在减薄所述第一应力层的侧壁后，在垂直于所述源漏开口的底面的方向上，所述第二区的第一应力层具有第二厚度，且所述第二厚度大于所述第一厚度。

可选的，所述第二厚度的范围为5纳米至10纳米。

可选的，所述源漏开口的深宽比范围为5:6至10:7。

可选的，在所述第一应力层表面形成第二应力层。

可选的，形成所述第二应力层的方法包括：在减薄所述第一应力层的侧壁后，在所述第一应力层的表面上形成所述第二应力层；形成所述第一应力层的工艺包括外延生长工艺；形成所述第二应力层的工艺包括外延生长工艺。

可选的，还包括：在减薄所述第一应力层的侧壁后，在形成所述第二应力层前，对所述第一应力层进行表面处理，所述表面处理包括灰化处理，以及在所述灰化处理后进行的退火处理。

可选的，还包括：在所述第一栅极结构顶部表面形成第一阻挡层，在所述第一栅极结构侧壁表面形成第一侧墙，在所述第一侧墙表面形成第二侧墙。