[发明专利]基于电阻分压读取的阻变型存储单元在审
| 申请号： | 201911280085.2 | 申请日： | 2019-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN110956993A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 窦春萌;刘璟;刘琦;吕杭炳;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 电阻 读取 变型 存储 单元 | ||
1.一种基于电阻分压读取的阻变型存储单元，其特征在于，包括：
第一晶体管；
阻变单元，其一端与所述第一晶体管的漏极实现串联连接，连接点作为分压点；以及
第二晶体管，其栅极连接至所述分压点；
其中，所述第一晶体管与所述阻变单元实现电阻分压。
2.根据权利要求1所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述阻变单元的另一端连接至第一位线。
3.根据权利要求2所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第二晶体管的漏极连接至第二位线。
4.根据权利要求1或2或3所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第二晶体管的源极接地。
5.根据权利要求4所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第一晶体管的源极连接至源线，且所述第一晶体管的栅极连接至第一字线。
6.根据权利要求5所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述源线接地，所述第一字线连接至电压，所述第一位线和所述第二位线分别连接至读电压。
7.根据权利要求6所述的阻变型存储单元，其特征在于，还包括：
第N晶体管，所述第N晶体管与所述第N-1晶体管串联连接，其中，N为大于2的整数。
8.根据权利要求7所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第N晶体管的源极连接至所述第N-1晶体管的漏极，且所述第N晶体管的漏极连接至所述第二位线。
9.根据权利要求8所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第N晶体管的栅极连接至第二字线。
10.根据权利要求9所述的阻变型存储单元，其特征在于，所述第二字线连接至电压。
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