[发明专利]竖直存储器件在审
申请号: | 201911280167.7 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN112216696A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 李建泳;金宣荣 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建国;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 竖直 存储 器件 | ||
1.一种存储器件,包括:
位线,其从衬底竖直地延伸,所述位线包括第一竖直部分和第二竖直部分;
竖直有源层,其被配置为围绕所述位线的第一竖直部分和第二竖直部分;
字线,其被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第一竖直部分;
电容器,其与所述字线在竖直方向上间隔开,所述电容器被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第二竖直部分;和
板线,其从所述衬底竖直地延伸并耦接到所述电容器。
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述竖直有源层包括:
第一源极/漏极层,其被配置为围绕所述位线的第二竖直部分;
第二源极/漏极层,其耦接到所述位线的第一竖直部分,所述第二源极/漏极层被配置为围绕所述位线的第一竖直部分;和
竖直沟道层,其竖直地位于所述第一源极/漏极层与所述第二源极/漏极层之间,所述竖直沟道层被配置为围绕所述位线的第一竖直部分。
3.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述电容器包括:
储存节点,其具有围绕所述位线的第二竖直部分的环形形状;
电介质层,其具有围绕所述储存节点的环形形状;和
板节点,其具有围绕所述电介质层的环形形状,
其中,所述储存节点、所述电介质层和所述板节点水平地布置在所述位线与所述板线之间。
4.根据权利要求3所述的存储器件,其中,所述电容器的板节点包括:
金属板节点,其具有围绕所述位线的第二竖直部分和所述电介质层的环形形状;和
硅衬里,其具有围绕所述位线的第二竖直部分和所述金属板节点的环形形状。
5.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述电容器具有环形形状。
6.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述字线具有平板形状。
7.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述板线包括:
硅线,其水平地接触所述电容器,并与所述字线竖直地重叠;和
金属线,其耦接到所述硅线并与所述字线的侧壁水平地重叠。
8.根据权利要求1所述的存储器件,其还包括:在所述位线与所述电容器之间的保护层,
其中,所述保护层被延伸以位于所述电容器与所述字线之间。
9.根据权利要求1所述的存储器件,其还包括:在所述字线与所述电容器之间的隔离层。
10.根据权利要求1所述的存储器件,还包括:位于所述字线与所述板线之间的字线覆盖层。
11.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述竖直有源层包括:
第一源极/漏极层,其被配置为围绕所述位线的第二竖直部分;
鳍型沟道层,其从所述第一源极/漏极层竖直地外延生长而成,所述鳍型沟道层被配置为围绕所述位线的第一竖直部分;和
第二源极/漏极层,其从所述鳍型沟道层水平地外延生长而成,所述第二源极/漏极层被配置为围绕所述位线的第一竖直部分。
12.根据权利要求11所述的存储器件,其还包括:欧姆接触层,其形成在所述位线的第一竖直部分与所述第二源极/漏极层之间。
13.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述衬底包括外围电路部分。
14.根据权利要求13所述的存储器件,其中,所述外围电路部分包括一个或更多个用于控制所述字线和所述位线的控制电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的