[发明专利]竖直存储器件

说明书

公开了一种竖直层叠的3D存储器件，并且该存储器件可以包括：位线，其从衬底竖直地延伸，包括第一竖直部分和第二竖直部分；竖直有源层，其被配置为围绕位线的第一竖直部分和第二竖直部分；字线，其被配置为围绕竖直有源层和位线的第一竖直部分；以及电容器，其与字线在竖直方向上间隔开，并被配置为围绕竖直有源层和位线的第二竖直部分。

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年7月12日提交的申请号为10-2019-0084686的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的各种实施例涉及一种半导体器件，并且更具体地，涉及一种竖直存储器件。

背景技术

最近，为了增加存储器件的净裸片(net die)，存储单元的尺寸不断减小。

随着存储单元的尺寸变小，应减小寄生电容(Cb)并增大电容。然而，由于存储单元的各种结构限制，使用常规解决方案增加净裸片变得越来越困难。

发明内容

本发明的各种实施例针对一种高集成度的竖直存储单元以及包括该集成单元的竖直存储器件。该存储单元允许增加竖直存储器件的净裸片。

根据一个实施例，一种存储器件可以包括：位线，其从所述衬底竖直地延伸，并且包括第一竖直部分和第二竖直部分；竖直有源层，其被配置为围绕所述位线的第一竖直部分和第二竖直部分；字线，其被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第一竖直部分；电容器，其与所述字线在竖直方向上间隔开，并被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第二竖直部分；以及板线，其从所述衬底竖直地延伸并耦接到所述电容器。

根据另一实施例，一种存储器件可以包括：衬底；位线，其从所述衬底竖直地延伸，并包括多个第一竖直部分和多个第二竖直部分；板线，其从所述衬底竖直地取向；以及多个存储单元，其从所述衬底的表面开始在所述位线与所述板线之间竖直地层叠，其中，每个存储单元包括：竖直有源层，其被配置为围绕所述位线的第一竖直部分和第二竖直部分；字线，其被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第一竖直部分；以及电容器，其与所述字线在竖直方向上间隔开，并且被配置为围绕所述竖直有源层和所述位线的第二竖直部分。

根据又一实施例，一种用于制造存储器件的方法可以包括：形成从衬底竖直地延伸的位线；形成围绕所述位线的电容器；形成晶体管，其包括从所述电容器的第一侧竖直地延伸的竖直有源层和围绕所述竖直有源层的字线；形成板线，其耦接到所述电容器第二侧并从所述衬底竖直地延伸。

通过以下结合附图的详细描述，本发明的这些和其他特征以及优点对于本领域的技术人员将变得显而易见。

附图说明

图1A是示出根据本发明实施例的存储器件的示意性配置的截面图。

图1B是示出沿图1A所示的I-I'线截取的存储器件的平面图。

图1C是图1A所示的存储单元MC的分解透视图。

图2A是示出存储器件的示例的截面图。

图2B是示出沿图2A所示的A-A'线截取的存储器件的平面图。

图2C是示出沿图2A所示的B-B'线截取的存储器件的平面图。

图2D是图2A所示的存储单元MC的分解透视图。

图3至图25是示出图2A所示的存储器件200的制造方法的截面图。

图26和图27是示出根据本发明实施例的存储器件的制造方法的截面图。

图28至图30是示出根据本发明实施例的存储器件的制造方法的截面图。

图31至图40是示出根据本发明实施例的存储器件的制造方法的截面图。