[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括在其上形成的初步图案；

形成穿透初步图案的开口以暴露所述衬底中的导电部分；

在所述开口的侧壁上形成间隔物；

进行干蚀刻工艺以在所述导电部分中形成孔；

移除所述间隔物；以及

在所述开口的侧壁和所述孔中沉积导电图案；

所述衬底上的所述初步图案包括：

蚀刻停止层，其接触所述衬底；

牺牲层，形成在所述蚀刻停止层上；以及

多个掩模图案，形成在所述牺牲层上。

2.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，形成所述开口的步骤包括：

在所述牺牲层中形成锥形沟槽以暴露所述蚀刻停止层；以及

在所述蚀刻停止层中形成凹槽以暴露所述导电部分的顶表面。

3.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，在步骤“在所述开口的侧壁和所述孔中沉积导电图案”之后，所述方法还包括以下步骤：

通过另一干蚀刻工艺去除所述多个掩模图案；以及

通过湿蚀刻工艺去除所述牺牲层。

4.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述衬底上的所述初步图案包括：

蚀刻停止层，其接触所述衬底；

层压结构，其形成在所述蚀刻停止层上，所述层压结构包括至少一个牺牲层和至少一个支撑层；以及

多个掩模图案，其形成在所述层压层上，所述至少一个支撑层包括氮化硅(SiN)或碳氮化硅(SiCN)。

5.根据权利要求4所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

通过另一干蚀刻工艺去除所述多个掩模图案；以及

通过湿蚀刻工艺去除所述至少一个牺牲层。

6.根据权利要求1所述的制造半导体器件的方法，其特征在于，所述导电图案包括选自氮化钛(TiN)，钛(Ti)和钨(W)的材料。

7.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括接合垫，所述接合垫的顶表面与所述衬底除了所述接合垫之外的其他部分的表面对齐，所述接合垫的顶表面开设了孔；

蚀刻停止图案，其设置在所述衬底的顶表面上，所述蚀刻停止图案开设了开口以暴露所述孔以及所述接合垫的围绕所述孔的部分顶表面；以及

导电图案，其包括：

上部，其覆盖所述接合垫的围绕所述孔的部分顶表面并从所述衬底向上延伸，所述导电图案的所述上部为截顶空心圆锥结构；以及

下部，其填满所述孔并与所述上部连接，其中所述上部被所述蚀刻停止图案部分地包围，所述导电图案作为一个整体形成Y形结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

进一步包含连接到所述导电图案的所述上部的外侧壁的支撑结构，所述支撑结构包括氮化硅(SiN)或碳氮化硅(SiCN)。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

所述孔的宽度的范围为30nm至40nm，所述上部的垂直长度与所述下部的垂直长度之比的范围为4至7，所述导电图案是用于动态随机存取存储器中的电容器的下电极，所述蚀刻停止图案包括选自氮化硅(SiN)，氮化硼硅(SiBN)，碳氮化硅(SiCN)，碳化硅(SiC)，氮氧化硅(SiON)和碳氧化硅(SiOC)。