[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：提供包括在其上面形成的初步图案的衬底；以及形成穿透初步图案的开口以暴露衬底中的导电部分；在开口的侧壁上形成间隔物；进行干蚀刻工艺以在导电部分中形成孔；移开间隔物；在开口的侧壁和孔里沉积导电图案。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造，更具体地涉及具有Y型基座的电容器及其制造方法。

背景技术

随着电容器的高度增加和存储器阵列的尺寸缩小，电容器的纵横比增加，从而导致电容器的稳定性减弱。电容器的折叠或扭曲可能导致较低的良率。

发明内容

以下呈现本发明实施例的概述，以便提供对本发明至少一些例子的基本理解。该概述不是本发明内容的广泛概述。其目的不是为了识别本公开的关键或关键要素，也不是为了描绘本公开的范围。以下概述仅以一般形式呈现本公开的一些概念，作为以下提供的更详细描述的序言。

在一个示例中提供了一种用于制造半导体器件的方法。该方法包括以下步骤：提供包括在其上面形成的初步图案的衬底；以及形成穿透初步图案的开口以暴露衬底中的导电部分；在开口的侧壁上形成间隔物；进行干蚀刻工艺以在导电部分中形成孔；移开间隔物；在开口的侧壁和孔里沉积导电图案。

在另一示例中提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、蚀刻停止图案和导电图案。该衬底包括孔。蚀刻停止图案设置在衬底上方。导电图案包括从衬底向上延伸的上部和填充在孔中的下部。上部被蚀刻停止图案部分地包围。

在又一示例中提供了一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、蚀刻停止图案和导电图案。衬底包括导电部分；蚀刻停止图案设置在衬底上方。导电图案电连接至衬底的导电部分。导电图案包括从衬底向上延伸的上部和埋在导电部分中的下部。上部被蚀刻停止图案部分地包围。

在下面的附图和描述中阐述一个或多个示例的细节。

附图说明

附图示出了本发明公开的一个或多个实施例，并且与书面描述一起解释了本发明的原理。在可能的情况下，自始至终附图使用相同的附图标记来指定实施例的相同或相似的元件。

图1至图8是示出根据本发明的第一实施例的用于在半导体器件中制造存储节点的方法的截面图。

图9至图16是示出根据本发明的第二实施例的在半导体器件中用于制造具有水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图17至图18是示出根据本发明的第三实施例的在半导体器件中制造具有双水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图19至图24是示出根据本发明的第四实施例的在半导体器件中制造存储节点的方法的截面图。

图25至图30是示出根据本发明的第五实施例的在半导体器件中用于制造具有水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图31至图32是示出根据本发明的第六实施例的在半导体器件中制造具有双水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图33至图40是示出根据本发明的第七实施例的用于在半导体器件中制造存储节点的方法的截面图。

图41至图42是示出根据本发明的第八实施例的在半导体器件中用于制造具有水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图43至图44是示出根据本发明的第九实施例的在半导体器件中制造具有双水平支撑层的存储节点的方法的截面图。

图45是示出图1至图44所示的半导体器件中的电路元件的截面图。

具体实施方式