[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 201911282711.1 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111081766A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 胡小波 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/417 | 分类号: | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/28 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括衬底基板和设置于所述衬底基板上的阵列层;所述阵列层包括位于所述衬底基板上方的栅极层;
其中,所述栅极层包括第一导电金属层以及依次层叠设置于所述第一导电金属层上的第一钼合金层和第一氧化钼合金层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一钼合金层覆盖所述第一导电金属层,所述第一氧化钼合金层覆盖所述第一钼合金层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一氧化钼合金层的厚度小于或等于所述第一钼合金层的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述栅极层还包括设置于所述第一导电金属层与所述衬底基板之间的第一缓冲层,所述第一缓冲层位于所述衬底基板上,所述第一导电金属层设置于所述第一缓冲层上。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列层还包括:
覆盖所述栅极层的栅极绝缘层;
设置于所述栅极绝缘层上的有源层以及与所述有源层电连接的源漏金属层;
覆盖所述有源层和源漏金属层的钝化层;
设置于所述钝化层上的像素电极层;
其中,所述源漏金属层包括位于所述钝化层上的第二缓冲层、位于所述第二缓冲层上的第二导电金属层以及依次层叠设置于所述第二导电金属层上的第二钼合金层和第二氧化钼合金层。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极层通过一贯穿所述钝化层和所述第二氧化钼合金层的通孔与所述第二钼合金层触接。
7.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一钼合金层和第二钼合金层的制备材料均包括钛、镍、钽、钨和铌中的至少一种。
8.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10、在衬底基板上形成阵列层;
其中,所述步骤S10包括:
S11、在所述衬底基板上方形成第一导电金属层;
S12、在所述第一导电金属层上形成依次层叠设置的第一钼合金层和第一氧化钼合金层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S12包括:
S121、使用钼合金在所述第一导电金属层上形成第一钼合金膜层;
S122、对第一钼合金膜层的表面进行氧化处理,以形成预定厚度的第一氧化钼合金层。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,在所述步骤S11之前,所述显示面板的制备方法还包括:
S13、在所述衬底基板上形成第一缓冲层;
其中,所述第一导电金属层形成于所述第一缓冲层上。
11.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S10还包括:
S14、在所述衬底基板上形成覆盖所述第一导电金属层、第一钼合金层以及第一氧化钼合金层的栅极绝缘层;
S15、在所述栅极绝缘层上形成有源层;
S16、在所述栅极绝缘层上形成与所述有源层电连接的源漏金属层;
S17、形成覆盖所述有源层以及所述源漏金属层的钝化层;
S18、在所述钝化层上形成像素电极层;
其中,所述源漏金属层包括位于所述钝化层上的第二缓冲层、位于所述第二缓冲层上的第二导电金属层以及依次层叠设置于所述第二导电金属层上的第二钼合金层和第二氧化钼合金层。
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