[发明专利]具有开放端子的屏蔽半导体封装及制造的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括衬底的第一区域内的第一接触焊盘和衬底的第二区域内的第二接触焊盘，其中第一区域的覆盖区完全围绕第一接触焊盘的覆盖区；

在衬底的第二区域内的衬底的表面之上布置电气部件；

在衬底的第二区域内的电气部件之上沉积密封剂，其中衬底的第一区域保持没有密封剂；

在沉积密封剂之后，在第一接触焊盘之上布置掩模，其中掩模完全覆盖衬底的第一区域，包括对于第一接触焊盘的整个覆盖区物理地接触第一接触焊盘的顶表面，而不在第二接触焊盘之上延伸；

在密封剂和掩模之上形成屏蔽层；以及

通过去除掩模来去除屏蔽层的一部分以暴露第一接触焊盘。

2.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一接触焊盘和第二接触焊盘；

在第二接触焊盘之上布置电气部件；

在电气部件和衬底之上沉积密封剂，其中衬底的第一接触焊盘保持没有密封剂；

在密封剂和第一接触焊盘之上形成屏蔽层；以及

从衬底的第一接触焊盘之上去除屏蔽层的一部分，其中在接触焊盘的覆盖区内完全去除屏蔽层。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：

在衬底的接触焊盘之上布置掩模；以及

通过去除掩模来去除屏蔽层的部分。

4.根据权利要求2所述的方法，进一步包括将衬底布置在夹具之上，其中夹具的突出部在衬底的接触焊盘之上。

5.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

在衬底的表面之上布置电气部件；

在电气部件和衬底之上沉积密封剂，其中衬底的表面上的接触焊盘保持从密封剂暴露；

在沉积密封剂之后，将衬底布置在夹具之上，其中夹具的突出部被布置在衬底的接触焊盘之上；

在密封剂之上形成屏蔽层，同时夹具的突出部保持在衬底的接触焊盘之上；以及

去除夹具以从衬底的接触焊盘之上去除屏蔽层。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括：

在夹具的突出部上布置绝缘层；以及

将衬底的接触焊盘布置成与绝缘层物理接触。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，绝缘层覆盖夹具的整个表面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，绝缘层是聚酰亚胺层。