[发明专利]具有开放端子的屏蔽半导体封装及制造的方法有效
申请号: | 201911282732.3 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111326428B | 公开(公告)日: | 2022-08-23 |
发明(设计)人: | 金昌伍;K.W.库;曹成源;B.W.崔;J.W.李 | 申请(专利权)人: | 星科金朋私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张凌苗;申屠伟进 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 开放 端子 屏蔽 半导体 封装 制造 方法 | ||
具有开放端子的屏蔽半导体封装及制造的方法。半导体器件具有衬底。在衬底的表面之上布置电气部件。在电气部件和衬底之上沉积密封剂。衬底的表面的一部分保持从密封剂暴露。在密封剂之上形成屏蔽层。去除屏蔽层的一部分以暴露衬底的表面的部分。
技术领域
本发明一般地涉及半导体器件,并且更特别地涉及具有电磁干扰(EMI)屏蔽和用于连接到相邻器件的一个或多个开放端子或插座的半导体封装。
背景技术
半导体器件通常存在(found)于现代电子产品中。半导体器件执行广泛的功能,诸如信号处理、高速计算、传输和接收电磁信号、控制电子器件、将阳光转换成电以及针对电视显示器创建视觉图像。半导体器件存在于通信、功率转换、网络、计算机、娱乐以及消费产品的领域中。半导体器件也存在于军事应用、航空、汽车、工业控制器以及办公设备中。
半导体器件通常易受电磁干扰(EMI)、射频干扰(RFI)、谐波失真或其他器件间干扰,诸如电容性、电感性或导电耦合,也称为串扰,这可能干扰它们的操作。数字电路的高速切换也会产生干扰。
导电层通常被形成在半导体封装之上,以屏蔽封装内的电子部件免受EMI和其他干扰。屏蔽层在信号可能使封装内的半导体管芯和分立部件受创(hit)之前吸收EMI,否则这可能导致器件的故障。屏蔽层也被形成在预期产生EMI的封装之上,以保护附近的器件免受故障影响。
关于半导体封装屏蔽的先前的方法的一个问题是在封装之上形成屏蔽层完全覆盖封装的顶部。不幸的是,许多半导体封装需要具有暴露插座或端子的开放区域,所述插座或端子允许连接到相邻的半导体器件。传统屏蔽完全覆盖封装,并且将使任何暴露的端子或插座短路在一起。因此,存在对既具有EMI屏蔽并且又还具有暴露端子或插座的半导体器件的需要。
附图说明
图1a-1d图示了形成具有暴露端子的半导体封装;
图2a-2f图示了在半导体封装之上形成电磁干扰(EMI)屏蔽层并且使用膜掩模来去除暴露端子之上的屏蔽层;
图3a-3e图示了使用夹具(jig)在半导体封装之上形成EMI屏蔽层,以阻挡暴露端子之上的屏蔽层;
图4a-4d图示了第二夹具实施例;
图5a-5d图示了使用激光烧蚀来去除暴露端子之上的EMI屏蔽层;
图6a-6c图示了针对暴露端子的替代配置;以及
图7a和7b图示了结合到电子器件中的屏蔽半导体封装之一。
具体实施方式
在参考附图的下面的描述中的一个或多个实施例中描述了本发明,在所述附图中相似的数字表示相同或类似的元件。虽然根据用于实现本发明的目的的最佳模式描述了本发明,但是本领域技术人员将领会的是,本发明旨在覆盖如可以被包括在如由所附权利要求以及如由下面的公开和附图支持的它们的等同物所限定的本发明的精神和范围内的替代方案、修改以及等同物。如本文中所使用的术语“半导体管芯”是指单词的单数形式和复数形式两者,并且因此,可以是指单个半导体器件和多个半导体器件两者。
半导体器件通常使用两个复杂的制造工艺来制造:前端制造和后端制造。前端制造涉及多个管芯在半导体晶片的表面上的形成。晶片上的每个管芯包含有源和无源电气部件,其被电气连接以形成功能电气电路。有源电气部件(诸如晶体管和二极管)具有控制电流的流动的能力。无源电气部件(诸如电容器、电感器和电阻器)创建用以执行电气电路功能所必要的在电压与电流之间的关系。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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