[发明专利]一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法及系统

权利要求书

1.一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法，其特征在于，包括：

根据用户提供的SRAM单元器件结构模型，结合单粒子注入物理模型，提取单粒子效应电流源脉冲；

分析所述单粒子效应电流源脉冲，建立多LET脉冲电流源模型并生成SPICE可以使用的仿真模型激励文件；

根据用户提供的SRAM电路网表文件提取SRAM中的所有敏感节点，生成SRAM敏感节点列表文件；

根据所述多LET脉冲电流源模型，结合所述SRAM敏感节点列表文件，编写脚本随机选取SRAM节点和故障注入时间，生成用于翻转阈值分析和翻转截面计算的故障注入文件；其中，用于翻转阈值分析的故障注入文件包含一个注入节点的节点信息、故障注入时间和故障注入模型，用于翻转截面计算的故障注入文件包含多个注入节点的节点信息、故障注入时间和故障注入模型；

读取故障注入文件和SRAM单元器件结构模型，利用SPICE进行仿真，分析注入不同LET值对应的脉冲电流源后的响应情况，确定翻转阈值；

读取用户提供的SRAM电路网表文件、故障注入文件，通过随机选择电路节点与峰值比例系数，在不同的LET值下进行多次仿真，统计每个LET下的平均错误个数，计算出不同LET下的SRAM的翻转截面。

2.根据权利要求1所述的SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法，其特征在于，所述建立多LET脉冲电流源模型，采用了样条插值的方法将采样点插值为平滑曲线，并使用Weibull函数进行参数拟合。

3.根据权利要求1所述的SRAM单粒子瞬态效应仿真分析方法，其特征在于，所述生成用于翻转阈值分析和翻转截面计算的故障注入文件，具体是根据用户选定的LET值，在所述仿真模型激励文件中选定所需的脉冲电流源模型，添加随机电路节点(node)、随机注入时间(time)以及随机电流峰值和脉宽函数(factor)，其中随机电流峰值和脉宽函数(factor)为正态分布的随机函数。

4.一种SRAM单粒子瞬态效应仿真分析系统，其特征在于，包括：

器件级SRAM单元仿真模块，用于根据用户提供的SRAM单元器件结构模型，结合单粒子注入物理模型，提取单粒子效应电流源脉冲；

多LET脉冲电流源模型建立模块，用于分析所述单粒子效应电流源脉冲，建立多LET脉冲电流源模型并生成SPICE可以使用的仿真模型激励文件；

SRAM敏感节点分析模块，用于根据用户提供的SRAM电路网表文件提取SRAM中的所有敏感节点，生成SRAM敏感节点列表文件；

故障注入配置模块，用于根据所述多LET脉冲电流源模型，结合所述SRAM敏感节点列表文件，编写脚本随机选取SRAM节点和故障注入时间，生成用于翻转阈值分析和翻转截面计算的故障注入文件；其中，用于翻转阈值分析的故障注入文件包含一个注入节点的节点信息、故障注入时间和故障注入模型，用于翻转截面计算的故障注入文件包含多个注入节点的节点信息、故障注入时间和故障注入模型；

SRAM翻转阈值分析模块，用于读取故障注入文件和SRAM单元器件结构模型，利用SPICE进行仿真，分析注入不同LET值对应的脉冲电流源后的响应情况，确定翻转阈值；

SRAM翻转截面计算模块，用于读取用户提供的SRAM电路网表文件、故障注入文件，通过随机选择电路节点与峰值比例系数，在不同的LET值下进行多次仿真，统计每个LET下的平均错误个数，计算出不同LET下的SRAM的翻转截面。

5.根据权利要求4所述的SRAM单粒子瞬态效应仿真分析系统，其特征在于：所述多LET脉冲电流源模型建立模块，具体采用了样条插值的方法将采样点插值为平滑曲线，并使用Weibull函数进行参数拟合。

6.根据权利要求4所述的SRAM单粒子瞬态效应仿真分析系统，其特征在于：所述SRAM敏感节点分析模块，具体是使用Perl语言与C-shell语言编写脚本提取SRAM电路网表文件中的所有的敏感节点。