[发明专利]Micro-LED芯片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201911284951.5 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN111081730B 公开(公告)日: 2022-12-27
发明(设计)人: 蒋振宇;闫春辉 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: micro led 芯片 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种Micro-LED芯片,其特征在于,所述Micro-LED芯片包括:

第一金属背衬层;

第一LED单元,附着且电连接于所述第一金属背衬层上;

第一平坦化层,附着于所述第一金属背衬层上,并使得所述第一LED单元远离所述第一金属背衬层的一侧外露;

第二金属背衬层,附着于所述第一LED单元外围的所述第一平坦化层上;

第二LED单元,附着且电连接于所述第二金属背衬层上,其中所述第二LED单元在所述第一金属背衬层上的投影与所述第一LED单元在所述第一金属背衬层上的投影彼此错开;

所述第一平坦化层设置有第一通孔;所述Micro-LED芯片进一步包括设置于所述第一通孔内的第一导电体;所述第一导电体的两端分别接触所述第一金属背衬层和所述第二金属背衬层,进而电连接所述第一LED单元和所述第二LED单元朝向所述第一金属背衬层的一侧。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片,其特征在于,所述Micro-LED芯片进一步包括:

第二平坦化层,附着于所述第二金属背衬层上,并使得所述第二LED单元远离所述第一金属背衬层的一侧外露;

第三金属背衬层,附着于所述第二LED单元外围的所述第二平坦化层上;

第三LED单元,附着且电连接于所述第三金属背衬层上,其中所述第三LED单元在所述第一金属背衬层上的投影分别与所述第一LED单元在所述第一金属背衬层上的投影和所述第二LED单元在所述第一金属背衬层上的投影彼此错开。

3.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片,其特征在于,第二平坦化层设置有第二通孔,所述Micro-LED芯片进一步包括设置于第二通孔内的第二导电体,所述第二导电体的两端分别接触所述第二金属背衬层和所述第三金属背衬层,进而电连接所述第二LED单元和所述第三LED单元朝向所述第一金属背衬层的一侧。

4.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片,其特征在于,所述Micro-LED芯片进一步包括设置于所述第一LED单元和所述第一金属背衬层之间的第一反射镜、设置于所述第二LED单元和所述第二金属背衬层之间的第二反射镜以及设置于所述第三LED单元和所述第三金属背衬层之间的第三反射镜。

5.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片,其特征在于,所述Micro-LED芯片进一步包括分别设置于所述第一平坦化层和所述第二金属背衬层之间以及所述第二平坦化层和所述第三金属背衬层之间的两个金属键合层。

6.根据权利要求2所述的Micro-LED芯片,其特征在于,所述Micro-LED芯片进一步包括包覆于所述第一LED单元的外围且使得所述第一LED单元远离所述第一金属背衬层的一侧外露的第一绝缘层、包覆于所述第二LED单元的外围且使得所述第二LED单元远离所述第一金属背衬层的一侧外露的第二绝缘层以及包覆于所述第三LED单元的外围且使得所述第三LED单元远离所述第一金属背衬层的一侧外露的第三绝缘层。

7.一种Micro-LED芯片的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

提供第一外延片和第二外延片,其中所述第一外延片包括第一生长衬底、附着于所述第一生长衬底上的第一发光外延层以及附着且电连接于所述第一发光外延层远离所述第一生长衬底的一侧的第一金属背衬层,所述第二外延片包括第二生长衬底、附着于所述第二生长衬底上的第二发光外延层以及附着且电连接于所述第二发光外延层远离所述第二生长衬底的一侧的第二金属背衬层;

将所述第一金属背衬层远离所述第一发光外延层的一侧附着于转移衬底上,剥离所述第一生长衬底,并图案化所述第一发光外延层以形成彼此间隔设置的多个第一LED单元;

在所述多个第一LED单元和所述第一金属背衬层上形成第一平坦化层;

将所述第二金属背衬层远离所述第二发光外延层的一侧附着于所述第一平坦化层上,剥离所述第二生长衬底,并图案化所述第二发光外延层以形成彼此间隔设置的多个第二LED单元,其中所述第二LED单元在所述第一金属背衬层的投影与所述第一LED单元在所述第一金属背衬层的投影彼此错开。

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