[发明专利]Micro-LED芯片及其制造方法

说明书

本申请公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：第一金属背衬层；第一LED单元，附着且电连接于第一金属背衬层上；第一平坦化层，附着于第一金属背衬层上，并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露；第二金属背衬层，附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上；第二LED单元，附着且电连接于第二金属背衬层上，其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。通过上述方式，本申请提供的每个LED芯片包括上下层叠且相互错开的至少第一LED单元与第二LED单元，该Micro‑LED芯片的尺寸紧凑，可以提高LED单元的排布密度，降低Micro‑LED芯片的转移成本。

技术领域

本申请涉及发光二极管领域，特别是一种Micro-LED芯片及其制造方法。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。Micro-LED技术，将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化，其尺寸仅在1～50μm等级左右。

Micro-LED芯片需要制造后通过巨量转移方式转移到显示基板，进而形成显示阵列。目前，Micro-LED芯片都仅包括一个发光单元，进而使得Micro-LED芯片在排布于显示基板上后，各发光单元之间的排布密度相对较大。进一步，由于彩色显示的每个像素需要至少三种不同颜色的发光单元，因此至少需要三次巨量转移将不同颜色的Micro-LED芯片转移到显示基板上，转移成本和出错率高。

发明内容

本申请提供一种Micro-LED芯片及其制造方法，能够提高LED单元的排布密度，并降低Micro-LED芯片的转移成本。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供了一种Micro-LED芯片，Micro-LED芯片包括：第一金属背衬层；第一LED单元，附着且电连接于第一金属背衬层上；第一平坦化层，附着于第一金属背衬层上，并使得第一LED单元远离第一金属背衬层的一侧外露；第二金属背衬层，附着于第一LED单元外围的第一平坦化层上；第二LED单元，附着且电连接于第二金属背衬层上，其中第二LED单元在第一金属背衬层上的投影与第一LED单元在第一金属背衬层上的投影彼此错开。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供了一种Micro-LED芯片的制造方法，其特征在于，方法包括：提供第一外延片和第二外延片，其中第一外延片包括第一生长衬底、附着于第一生长衬底上的第一发光外延层以及附着且电连接于第一发光外延层远离第一生长衬底的一侧的第一金属背衬层，第二外延片包括第二生长衬底、附着于第二生长衬底上的第二发光外延层以及附着且电连接于第二发光外延层远离第二生长衬底的一侧的第二金属背衬层；将第一金属背衬层远离第一发光外延层的一侧附着于转移衬底上，剥离第一生长衬底，并图案化第一发光外延层以形成彼此间隔设置的多个第一LED单元；在多个第一LED单元和第一金属背衬层上形成第一平坦化层；将第二金属背衬层远离第二发光外延层的一侧附着于第一平坦化层上，剥离第二生长衬底，并图案化第二发光外延层以形成彼此间隔设置的多个第二LED单元，其中第二LED单元在第一金属背衬层的投影与第一LED单元在第一金属背衬层的投影彼此错开。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的第一LED单元与第二LED单元层叠设置，且所述第二LED单元在所述第一金属背衬层上的投影与所述第一LED单元在所述第一金属背衬层上的投影彼此错开。即本申请的每个LED芯片包括上下层叠且相互错开的至少第一LED单元与第二LED单元，该Micro-LED芯片的尺寸紧凑，可以提高LED单元在金属背衬层上的排布密度，降低Micro-LED芯片的制造成本。进一步地，通过第一LED单元、第二LED单元输出百分比的不同进行组合，使得Micro-LED芯片可以呈现出不同的颜色，从而实现全彩色化的Micro-LED芯片的显示效果。

附图说明