[发明专利]温度检测电路、温度检测设备、芯片及电路结构

权利要求书

1.一种温度检测电路，其特征在于，包括：

MOS管温度感应单元，用于感应温度并输出在关断区与温度呈正相关的指数关系的漏电流；

电流感应单元，其与所述MOS管温度感应单元连接，以用于感应所述漏电流的电流值并输出第一信号，所述第一信号的频率与所述电流值呈正相关的第一线性关系；

计数单元，其与所述电流感应单元连接，以接入所述第一信号并用于参考预设时钟信号在预设时间段内对所述第一信号的周期数进行计数得到计数值；

处理单元，用于根据所述计数值、所述指数关系、所述第一线性关系以及所述预设时间段计算MOS管温度感应单元感应到温度值。

2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，所述MOS管温度感应单元包括：

第一NMOS管，所述第一NMOS管处于关断状态并用于感应温度以输出与温度呈正相关的指数关系的漏电流；

限压模块，其一端与所述第一NMOS管的漏极连接，其另一端与所述电流感应单元连接，所述限压模块用于对所述第一NMOS管的源、漏极电压进行限压。

3.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述限压模块包括：

第二NMOS管，其源极与所述第一NMOS管的漏极连接，其漏极与所述电流感应单元连接；

控制电压产生结构，其用于感应温度并输出与温度呈负相关的第一关系的控制电压至所述第二NMOS管的栅极，以通过所述第二NMOS管对所述第一NMOS管的源、漏极电压进行限制，以使得所述第一NMOS管的源、漏极电压在预设误差范围内保持在不变。

4.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，所述控制电压产生结构包括第三NMOS管、第四NMOS管、第一电阻以及第一电流放大结构；

所述第三NMOS管的源极与所述第一电阻的一端连接并接地，所述第三NMOS管的栅极、所述第四NMOS管的源极以及所述第一电阻的另一端连接，所述第一电流放大结构的输入端与所述第四NMOS管的漏极连接，所述第一电流放大结构的输出端与所述第四NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极连接以及所述第二NMOS管的栅极连接。

5.根据权利要求3所述的温度检测电路，其特征在于，所述控制电压产生结构包括第十三MOS管以及第十四MOS管，所述第十三MOS管以及第十四MOS管均为NMOS管；所述第十三MOS管的漏极接入参考电流,所述第十三MOS管的栅极与漏极连接作为控制电压输出点并与所述第二NMOS管的栅极电连接。

6.根据权利要求2-5任一项所述的温度检测电路，其特征在于，所述MOS管温度感应单元还包括第二电流放大结构；

所述限压模块的输出端通过所述第二电流放大结构与所述电流感应单元连接，所述第二电流放大结构用于将所述限压模块输出的漏电流放大预设倍数；

而所述处理单元用于根据所述计数值、所述指数关系、所述第一线性关系、所述预设时间段以及所述预设倍数计算MOS管温度感应单元感应到温度值。

7.根据权利要求6所述的温度检测电路，其特征在于，所述第二电流放大结构为共源共栅电流镜。

8.根据权利要求2-5任一项所述的温度检测电路，其特征在于，所述电流感应单元包括N个级连的全差分延时单元以及一D2S转换器，其中，N为大于2的偶数；所述D2S转换器为差分转单端转换器；

第一级的全差分延时单元的正相输入端与第N级的全差分延时单元的正相输出端连接，第一级的全差分延时单元的负相输入端与第N级的全差分延时单元的负相输出端连接，第N-1级的全差分延时单元的正相输出端与的第N级的全差分延时单元的负相输入端连接，第N-1级的全差分延时单元的负相输出端与的第N级的全差分延时单元的正相输入端连接，第N级的全差分延时单元的正相输出端以及反相输出端分别与所述D2S转换器的两个输入端分别连接，所述D2S转换器的输出端与所述计数单元连接，所述N个级连的全差分延时单元的偏置电流输入端均与所述MOS管温度感应单元的输出端连接。