[发明专利]转移不同型的微型元件的方法在审
申请号: | 201911288676.4 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112216644A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/98;H01L25/075;H01L27/15 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 不同 微型 元件 方法 | ||
本发明公开了一种转移不同型的微型元件的方法,包含:安装第一可拆卸转移板至对准辅助机构,第一可拆卸转移板具有第一型微型元件于其上,对准辅助机构实质上在接收基板的上方,其中第一型微型元件面对接收基板;借由对准辅助机构将在可拆卸转移板上的第一型微型元件与第一子像素的位置对准,第一子像素分别属于在接收基板上的像素;转移第一型微型元件至在接收基板上的第一子像素;用第二可拆卸转移板替换第一可拆卸转移板,第二可拆卸转移板具有第二型微型元件于其上,其中第二型微型元件面对接收基板;以及转移第二型微型元件至第二子像素,第二子像素分别属于在接收基板上的前述像素。本发明所提出的方法可提高转移微型元件的处理量。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种转移不同型的微型元件的方法。
背景技术
转移元件的传统技术包含借由晶圆黏合(wafer bonding)从转移晶圆转移到接收基板。这类实施方式的一种为「直接黏合(direct bonding)」,其涉及单一黏合步骤将元件阵列从转移晶圆转移到接收基板,接着移除转移晶圆。另一种的这类实施方式为「间接黏合(indirect bonding)」,其涉及两个黏合/剥离步骤。在间接黏合中,转移头可以从供应基板拾取元件阵列,然后将元件阵列黏合到接收基板,接着移除转移头。
近年来,许多研究人员和专家尝试克服困难,欲使得元件巨量转移(亦即,转移百万或千万数量级的元件)在商业应用中成为可能的技术。巨量转移技术的困难点中,降低成本、时间效率和良率是其中三个重要议题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷,而提出一种改进的转移不同型的微型元件的方法,可提高转移微型元件的处理量。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。
本发明的一些实施方式公开了一种转移不同型的微型元件的方法,包含安装第一可拆卸转移板至对准辅助机构,第一可拆卸转移板具有第一型微型元件于其上,对准辅助机构实质上在接收基板的上方,其中第一型微型元件面对接收基板;借由对准辅助机构将在第一可拆卸转移板上的第一型微型元件与第一子像素的位置对准,第一子像素分别属于在接收基板上的像素;转移第一型微型元件至在接收基板上的第一子像素;用第二可拆卸转移板替换第一可拆卸转移板,第二可拆卸转移板具有第二型微型元件于其上,其中第二型微型元件面对接收基板;以及转移第二型微型元件至第二子像素,第二子像素分别属于在接收基板上的前述(各个)像素。
根据本发明的一实施例,转移不同型的微型元件的方法还包含借由对准辅助机构将在第二可拆卸转移板上的第二型微型元件与第二子像素的位置对准。
根据本发明的一实施例,第二子像素的位置分别比邻接收基板上的第一子像素。
根据本发明的一实施例,第二型微型元件的对准是以移动对准辅助机构一个子像素间距的方式来执行,其中子像素间距为其中一个第一子像素和比邻该第一子像素的其中一个第二子像素之间的间距。
根据本发明的一实施例,子像素间距小于或等于500微米。
根据本发明的一实施例,第二子像素的位置分别与第一子像素分隔开。
根据本发明的一实施例,第一可拆卸转移板和第二可拆卸转移板是由熔融石英或玻璃所制成,其上配置有胶层,用以夹持第一型微型元件和第二型微型元件。
根据本发明的一实施例,第一型微型元件是由第一可拆卸转移板通过其施加的黏着力所拾取,且/或第二型微型元件是由第二可拆卸转移板通过其施加的黏着力所拾取。
根据本发明的一实施例,第一型微型元件为红光发光二极管、绿光发光二极管、蓝光发光二极管、黄光发光二极管、靛色光发光二极管和紫外光发光二极管当中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造