[发明专利]一种太阳能薄膜光伏组件分波段检测方法在审
申请号: | 201911289773.5 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN111063625A | 公开(公告)日: | 2020-04-24 |
发明(设计)人: | 郭小佳;张建伟;韩福英;孙旭;姚应妮;刘小雨 | 申请(专利权)人: | 凯盛光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人: | 陈俊 |
地址: | 233010 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 薄膜 组件 波段 检测 方法 | ||
本发明公开一种太阳能薄膜光伏组件分波段检测方法,包括以下步骤:将待测薄膜光伏组件放置于Halm测试机,利用Halm测试机测试薄膜光伏组件的电学性能参数,电学性能参数包含短路电流Isc、开路电压Uoc、填充因子FF、功率Pmpp;依次在在待测薄膜光伏组件上放置紫色滤光片、蓝色滤光片、绿色滤光片、黄色滤光片与红色滤光片,分别测试在不同波段下的电学性能参数,根据电学性能参数计算在不同波段下的吸收率;将不同波段下的吸收率进行对比,即可以发现薄膜光伏组件各膜层的性能及优化方向;本方法操作简单,能够极大地提高检测效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体是一种太阳能薄膜光伏组件分波段检测方法。
背景技术
由于硅在地壳中储量极为丰富,仅次于氧,并且伴随着微电子行业的发展,人们对硅的研究比较全面,提炼及加工技术均很成熟。同时,硅性能稳定且无毒,不会对环境造成污染,因此成为了太阳能电池研发、生产和应用的主体材料。
目前转换效率最高的硅太阳能电池其光电转换效率为26.63%,已接近硅太阳能电池理论极跟值。然而由于晶体硅是间接带隙半导体材料,其光吸收系数比较低,所以挂太阳能电池需要很厚(微米以上)的硅材料才可以吸收大部分的太阳光。另外,硅晶的提炼和生长本身就是一个高污染、高能耗的工业过程,因此,硅材料并不是十分理想的太阳能电池材料。
铜铟镓硒薄膜太阳电池作为薄膜电池的一种,具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点,光电转换效率较高,接近晶体硅太阳电池,而成本则是晶体硅电池的三分之一,被国际上称为下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池。此外,该电池具有柔和、均匀的黑色外观,是对外观有较高要求场所的理想选择,如大型建筑物的玻璃幕墙等,在现代化高层建筑等领域有很大市场。而且该电池属于直接带隙薄膜电池,比间接带隙的晶硅有更高的吸收系数,利用大约2 µm厚度的吸收层,可以捕获足够的太阳光。
但是由于薄膜组件的固有特性,在制备样品进行量子效率测试时,非常麻烦而且失败率较高,因此采用新的方法进行检测势在必行。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能薄膜光伏组件分波段检测方法,该方法能够降低检测难度、提升检测效率。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种太阳能薄膜光伏组件分波段检测方法,包括以下步骤:
a、将待测薄膜光伏组件放置于Halm测试机,利用Halm测试机测试薄膜光伏组件的电学性能参数,电学性能参数包含短路电流Isc、开路电压Uoc、填充因子FF、功率Pmpp;
b、在待测薄膜光伏组件上放置紫色滤光片,利用Halm测试机测试,获取滤除紫光的电学性能参数:Isc1、Uoc1、FF1与Pmpp1;
c、在待测薄膜光伏组件上放置蓝色滤光片,利用Halm测试机测试,获取滤除蓝光的电学性能参数:Isc2、Uoc2、FF2与Pmpp2;
d、在待测薄膜光伏组件上放置绿色滤光片,利用Halm测试机测试,获取滤除绿光的电学性能参数:Isc3、Uoc3、FF3与Pmpp3;
e、在待测薄膜光伏组件上放置黄色滤光片,利用Halm测试机测试,获取滤除黄光的电学性能参数:Isc4、Uoc4、FF4与Pmpp4;
f、在待测薄膜光伏组件上放置红色滤光片,利用Halm测试机测试,获取滤除红光的电学性能参数:Isc5、Uoc5、FF5与Pmpp5;
g、分别计算在不同波段下的吸收率,紫色波段吸收率=(Isc-Isc1)/Isc,蓝色波段吸收率=(Isc-Isc2)/Isc,绿色波段吸收率=(Isc-Isc3)/Isc,黄色波段吸收率=(Isc-Isc4)/Isc,红色波段吸收率=(Isc-Isc5)/Isc。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造