[发明专利]晶圆洗边方法及晶圆清洗装置在审
申请号: | 201911290951.6 | 申请日: | 2019-12-16 |
公开(公告)号: | CN110957208A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | 马亮;吕术亮;黄驰;李远;万先进 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳;高翠花 |
地址: | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆洗边 方法 清洗 装置 | ||
1.一种晶圆洗边方法,其特征在于,包括:交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒清洗液,以对所述晶圆进行洗边,其中,所述第一方向与所述第二方向为相反的方向。
2.根据权利要求1所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述晶圆相对于清洗液喷洒装置交替沿第一方向及第二方向转动,以使所述清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。
3.根据权利要求1所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述清洗液喷洒方向的水平分量与所述晶圆转动方向的切线方向一致。
4.根据权利要求1~3任意一项所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述第一方向为顺时针方向,所述第二方向为逆时针方向,或者所述第一方向为逆时针方向,所述第二方向为顺时针方向。
5.根据权利要求1所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述第一方向及所述第二方向指所述清洗液的实际喷洒方向的水平分量。
6.根据权利要求1所述的晶圆洗边方法,其特征在于,交替改变清洗液喷洒装置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。
7.根据权利要求6所述的晶圆洗边方法,其特征在于,沿所述晶圆的圆周方向移动所述清洗液喷洒装置,以使所述清洗液能够作用于所述晶圆全部边缘。
8.根据权利要求7所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述清洗液喷洒方向的水平分量与所述清洗液喷洒装置转动方向的切线方向一致。
9.根据权利要求6所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述晶圆沿第一方向或者第二方向转动,以使所述清洗液能够作用于所述晶圆全部边缘。
10.根据权利要求9所述的晶圆洗边方法,其特征在于,所述清洗液喷洒方向的水平分量与所述晶圆转动方向的切线方向一致。
11.一种晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆清洗装置包括:
清洗液喷洒装置;
控制装置,与所述清洗液喷嘴装置连接,以控制清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒,其中,所述第一方向与所述第二方向为相反的方向。
12.根据权利要求11所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述控制装置能够交替改变清洗液喷洒装置的朝向,以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。
13.根据权利要求11所述的晶圆清洗装置,其特征在于,所述晶圆置于一承载装置上,所述控制装置与所述承载装置连接,并能够控制所述承载装置转动,进而使所述晶圆相对于清洗液喷洒装置交替沿第一方向及第二方向转动,以使清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造