[发明专利]晶圆洗边方法及晶圆清洗装置在审

申请号：	201911290951.6	申请日：	2019-12-16
公开（公告）号：	CN110957208A	公开（公告）日：	2020-04-03
发明（设计）人：	马亮;吕术亮;黄驰;李远;万先进	申请（专利权）人：	长江存储科技有限责任公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294	代理人：	董琳;高翠花
地址：	430074 湖北省武汉***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	晶圆洗边方法清洗装置
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【说明书】：

本发明提供一种晶圆洗边方法及晶圆清洗装置，所述晶圆洗边方法包括：交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒清洗液，以对所述晶圆进行洗边，其中，所述第一方向与所述第二方向为相反的方向。本发明的优点在于，交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒清洗液，能够去除边缘残留的金属，避免后续的键合工艺由于金属残留而失败的情况发生。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆洗边方法及晶圆清洗装置。

背景技术

在半导体制程中，化学机械研磨(CMP)工艺只能研磨晶圆上表面或者下表面，无法研磨晶圆边缘(wafer edge)及晶圆边缘的倾斜(wafer bevel)区域的铜。为了去除晶圆边缘及晶圆边缘的倾斜区域的铜，通常会在铜电镀工艺后增加一个洗边工艺(EBR)，以清除晶圆边缘的铜及晶圆边缘的倾斜区域的铜，保证化学机械研磨工艺的顺利进行。

但是，现有的洗边工艺并不能完全清除晶圆边缘及晶圆边缘的倾斜区域的铜，残留的铜会在后续的键合(bonding)工艺中形成气泡(bubble)，导致键合工艺失败。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种晶圆洗边方法及晶圆清洗装置，其能够去除晶圆边缘残留的金属。

为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆洗边方法，包括：交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒清洗液，以对所述晶圆进行洗边，其中，所述第一方向与所述第二方向为相反的方向。

进一步，所述晶圆相对于清洗液喷洒装置交替沿第一方向及第二方向转动，以使所述清洗液交替沿第一方向及第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。

进一步，所述清洗液喷洒方向的水平分量与所述晶圆转动方向的切线方向一致。

进一步，所述第一方向为顺时针方向，所述第二方向为逆时针方向，或者所述第一方向为逆时针方向，所述第二方向为顺时针方向。

进一步，所述第一方向及所述第二方向指所述清洗液的实际喷洒方向的水平分量。

进一步，交替改变清洗液喷洒装置的朝向，以使所述清洗液交替沿第一方向或第二方向向所述晶圆的边缘喷洒。

进一步，沿所述晶圆的圆周方向移动所述清洗液喷洒装置，以使所述清洗液能够作用于所述晶圆全部边缘。

进一步，所述清洗液喷洒方向的水平分量与所述清洗液喷洒装置转动方向的切线方向一致。

进一步，所述晶圆沿第一方向或者第二方向转动，以使所述清洗液能够作用于所述晶圆全部边缘。