[发明专利]曝光方法和光刻装置

权利要求书

1.一种曝光方法，包括：

提供衬底并在所述衬底的主表面上提供光敏层，其中，所述衬底包括基底部分和台面部分，其中，在所述基底部分中，所述主表面处于基底平面中，并且其中，所述台面部分从所述基底平面突出；

利用辐射束扫描所述光敏层，所述辐射束具有沿正交于所述基底平面的z方向的射束轴线；以及

控制由所述辐射束施加到所述光敏层的部分区域的局部剂量，其中，所述局部剂量包括基本剂量分量和修正剂量分量，所述修正剂量分量是所述部分区域与过渡部之间的距离的函数，所述过渡部在所述基底部分与所述台面部分之间，并且其中，所述修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分与所述基底部分之间的高度差引起的散焦对所述部分区域中的关键尺寸的影响，其中所述辐射束的水平截面区域具有垂直于所述过渡部的纵向轴线，所述辐射束沿平行于所述过渡部的扫描方向扫描所述主表面，其中控制所述局部剂量包括沿所述纵向轴线修改所述辐射束中的辐射强度，且其中所述扫描方向和所述纵向轴线垂直于所述射束轴线。

2.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，

所述基本剂量分量被选择为补偿场内曝光变化和场间曝光变化中的至少一者。

3.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，

所述辐射束沿垂直于所述过渡部的所述扫描方向扫描所述主表面，所述辐射束是从脉冲辐射源获得的，并且其中，控制所述局部剂量包括改变所述辐射源的脉冲率。

4.根据权利要求1所述的曝光方法，进一步包括：

调平控制，通过沿正交于所述基底平面的所述z方向移动所述衬底，所述调平控制在所述辐射束的焦点位置上补偿所述主表面的、由工艺引起的高度偏差。

5.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，

所述调平控制考虑所述台面部分与所述基底部分之间的所述高度差。

6.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，

所述调平控制忽略所述台面部分与所述基底部分之间的所述高度差。

7.根据权利要求4所述的曝光方法，其中，

所述由工艺引起的高度偏差的空间频率低于所述台面部分的空间频率。

8.根据权利要求1所述的曝光方法，进一步包括：

确定关键尺寸CD/焦点/剂量数据，其中，所述CD/焦点/剂量数据包含关键特征件的在不同剂量值处针对多个焦点值的CD值；以及

通过从所述CD/焦点/剂量数据获得导致CD偏差的剂量值，确定所述局部剂量的所述修正剂量分量，所述修正剂量分量至少部分地补偿由所述台面部分与所述基底部分之间的所述高度差引起的散焦导致的CD偏差。

9.根据权利要求1所述的曝光方法，其中，

从布局形貌数据和/或由水平传感器单元获得的衬底调平数据，获得关于由所述台面部分与所述基底部分之间的所述高度差引起的所述散焦的信息。